型号：DMG1012TQ-7
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-723
　　连续漏极电流（ID）：-800mA @ 25°C
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -4.5V；60mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：85pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：10ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　峰值脉冲漏极电流（IDM）：-1.6A
　　功耗（Ptot）：300mW

DMG1012TQ-7的首要特性是其优异的导通性能。在VGS = -4.5V时，其典型导通电阻仅为45mΩ，这显著降低了在负载开关或电源路径中的功率损耗，提高了整体系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，其RDS(on)也仅上升至60mΩ，表明该器件在低压逻辑电平控制下依然具备良好的导通能力，适合与3.3V或更低电压的数字控制器配合使用。这种低RDS(on)特性对于延长电池供电设备的续航时间至关重要。
　　其次，该器件具有非常低的栅极阈值电压，范围为-0.6V至-1.0V，这意味着它可以在较小的栅源电压差下开始导通，从而实现快速响应和节能操作。这一特性特别适用于需要精确控制开启/关断时机的应用场景，例如防止反向电流流动的防倒灌电路或热插拔保护电路。
　　第三，DMG1012TQ-7拥有出色的开关速度。其开启延迟时间为4ns，关断延迟时间为10ns，在同类小型封装P沟道MOSFET中表现出色。高速开关能力使其能够胜任高频开关任务，减少开关过程中的能量损耗，同时降低电磁干扰（EMI）风险。
　　第四，SOT-723封装尺寸极小（约2mm x 1.25mm），极大节省PCB布局空间，适合高密度集成设计。尽管体积小，但其热设计经过优化，可在300mW的功耗下正常工作，满足大多数便携式应用的需求。此外，该封装支持回流焊工艺，便于自动化生产，提升制造良率。
　　最后，该器件具备良好的可靠性与稳定性。其最大结温高达150°C，可在高温环境下长期运行而不失效。同时，内置的体二极管可用于续流或钳位作用，增强了电路鲁棒性。综合来看，DMG1012TQ-7凭借低导通电阻、低阈值电压、高速开关、小型封装和高可靠性，成为众多低功率P沟道应用的理想选择。

DMG1012TQ-7主要应用于需要小型化、低功耗和高效率的电子系统中。最常见的用途之一是作为负载开关，用于控制电源对特定模块（如传感器、显示屏背光、无线模块）的供电，以实现按需上电和节能管理。其低RDS(on)和快速响应能力确保在开启时压降小、发热少，关闭时切断彻底，避免不必要的待机功耗。
　　另一个重要应用场景是电池供电设备中的电源路径管理。例如，在单节锂电池供电的智能手表或蓝牙耳机中，DMG1012TQ-7可用于主电源开关或充电路径控制，配合充电管理IC实现充放电隔离。由于其P沟道结构，适合用于高端开关配置，简化驱动电路设计，无需电荷泵即可实现完全导通。
　　此外，该器件也常用于信号切换电路，特别是在模拟开关或多路复用器无法满足功率需求时，可用作低电流信号通路的开关元件。例如，在音频路径切换、USB数据线选通或GPIO扩展控制中，DMG1012TQ-7可以安全地切换不超过800mA的负载电流。
　　在热插拔或软启动电路中，该MOSFET可通过外部RC网络控制栅极电压斜率，实现缓慢开启，从而限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。这对于连接大容量输入电容的模块尤为重要。
　　最后，在DC-DC转换器的同步整流或续流路径中，虽然其电流能力有限，但在轻载或辅助电源部分仍可发挥作用。总体而言，DMG1012TQ-7广泛服务于消费电子、工业控制、通信模块和便携式医疗设备等领域。

DMP1012UFG-7
　　FDN302P
SI2301-DS