时间：2025/8/21 18:46:49
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DMF2837是一款由Diodes Incorporated生产的双MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于功率管理和电源转换领域。该器件集成了两个N沟道MOSFET，采用先进的Trench MOS技术，具有低导通电阻和高效率的特点。DMF2837适用于负载开关、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等应用场景。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：6A（单个MOSFET）
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SO-8
DMF2837采用先进的Trench MOS工艺制造，具有极低的导通电阻和优良的开关性能，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其双MOSFET结构允许在同步整流、双向负载开关或H桥电机控制等应用中使用，提供紧凑的解决方案。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下运行。DMF2837的封装形式为SO-8，适用于表面贴装工艺，节省PCB空间，适合高密度电路设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，同时也兼容较低的驱动电压（如5V），为设计提供了更大的灵活性。在保护特性方面，DMF2837具备良好的抗静电能力和热保护功能，可有效防止在恶劣工作环境下的损坏。
DMF2837常用于电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、马达驱动电路、电池供电设备（如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电器）以及工业控制系统等应用中。由于其低导通电阻和高效能特性，该器件特别适合对能效和散热性能有较高要求的设计。
DMF2837S, DMF2837DS, DMF2837DK, DMF2837DQ
