类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-5.8A（@25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@VGS=-10V）、40mΩ（@VGS=-4.5V）
　　功率耗散：2.5W（@25℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：SO-8、DFN2020、SOT26 等

DME2858 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=-10V 时，RDS(on) 仅为 28mΩ，而在 VGS=-4.5V 时也保持在 40mΩ 左右，这使其适用于多种栅极驱动电压条件下的电路设计。此外，该器件的连续漏极电流为 -5.8A，在常温下即可实现较高的电流承载能力，适用于中高功率负载的应用。
　　该 MOSFET 支持多种封装形式，包括 SO-8、DFN2020 和 SOT26，满足不同电路布局和封装空间限制的需求。SO-8 封装具有良好的散热性能，适合中等功率应用；DFN2020 则更小巧，适用于对空间要求较高的便携设备；SOT26 封装则常用于低功率负载开关电路。
　　DME2858 还具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在 -55℃ 至 150℃ 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。其 ±20V 的栅源电压耐受能力，也提高了器件在复杂工作环境中的抗干扰能力。
　　由于其高集成度和优异的电气性能，DME2858 在设计中常用于替代多个分立元件，简化电路结构并提高整体系统的稳定性。

DME2858 常见于各类电源管理系统中，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的电池供电管理电路。它也广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源多路复用器以及电机驱动电路。此外，该器件还可用于 LED 背光驱动、USB 电源开关、热插拔控制器和电源适配器等场景。

Si2301DS、DMG2305UX、AO4406、FDMC8200、BSS84