时间：2025/8/21 22:13:28
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DME2829-252是一款由Diodes Incorporated生产的双路N沟道MOSFET，采用先进的Trench沟槽工艺，具备高性能和高可靠性。该器件广泛应用于电源管理和负载开关等场合，适合在中低功率应用中提供高效的开关性能。DME2829-252采用小型DFN2020-6封装，适合对空间要求严格的电子设备设计。
类型：MOSFET
沟道类型：双路N沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.9A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：36mΩ（@Vgs=4.5V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DFN2020-6
DME2829-252采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。其双路N沟道设计使得在单个封装中实现多个开关功能成为可能，从而减少了PCB空间占用。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至12V的驱动电压，使其兼容多种控制器和驱动电路。此外，其低栅极电荷特性进一步提升了开关速度和效率，适合高频应用。DME2829-252还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定工作。
在封装方面，DFN2020-6封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，有助于提高整体系统的可靠性。该封装无引脚设计降低了寄生电感，有助于提升高频性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色环保的电子产品设计。
DME2829-252适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动器和LED驱动电路等。其高效、低导通电阻的特性使其特别适合用于手持设备、移动电源、穿戴设备和小型电子模块等对空间和效率要求较高的应用场合。
DMN2829-252, DMP2829-252
