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IXTP90N055T2 发布时间 时间:2024/9/6 15:32:50 查看 阅读:372

技术参数

通道数:1
  漏源极电阻:7 mΩ
  极性:N-CH
  耗散功率:150 W
  阈值电压:4 V
  漏源极电压(Vds):55 V
  漏源击穿电压:55 V
  连续漏极电流(Ids):90A
  上升时间:21 ns
  输入电容(Ciss):2770pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):150 W
  下降时间:19 ns
  工作温度(Max):175℃
  工作温度(Min):55℃
  耗散功率(Max):150W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.66 mm
  宽度:4.83 mm
  高度:16 mm
  封装:TO-220-3

物理参数

  工作温度:-55℃~175℃(TJ)

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IXTP90N055T2参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchT2™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2770pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件