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IXTP90N055T2 发布时间 时间：2024/9/6 15:32:50 查看 阅读：552

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技术参数

通道数：1
　　漏源极电阻：7 mΩ
　　极性：N-CH
　　耗散功率：150 W
　　阈值电压：4 V
　　漏源极电压(Vds)：55 V
　　漏源击穿电压：55 V
　　连续漏极电流(Ids)：90A
　　上升时间：21 ns
　　输入电容(Ciss)：2770pF 25V(Vds)
　　额定功率(Max)：150 W
　　下降时间：19 ns
　　工作温度(Max)：175℃
　　工作温度(Min)：55℃
　　耗散功率(Max)：150W(Tc)

封装参数

安装方式：Through Hole
　　封装：TO-220-3

外形尺寸

长度：10.66 mm
　　宽度：4.83 mm
　　高度：16 mm
　　封装：TO-220-3

物理参数

　　工作温度：-55℃~175℃(TJ)

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IXTP90N055T2参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchT2™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2770pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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