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DMC964010R 发布时间 时间:2025/6/26 18:00:01 查看 阅读:6

DMC964010R 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于 N 沟道增强型器件。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等功率转换电路中。其卓越的导通电阻和快速开关性能使其成为高效率功率应用的理想选择。
  DMC964010R 采用 TO-263 封装形式,具有良好的散热性能和电气特性,适合需要高电流处理能力的应用场景。

参数

额定电压:100V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  输入电容:2050pF
  最大功耗:170W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

DMC964010R 具备低导通电阻特性,能够显著降低传导损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该器件还拥有较快的开关速度,减少了开关损耗,非常适合高频功率转换应用。
  该芯片内置了反向恢复电荷较低的体二极管,进一步优化了性能表现。同时,其出色的热特性和大电流承载能力确保了在严苛环境下的稳定运行。
  DMC964010R 的栅极驱动要求相对简单,可以与各种常见的驱动电路兼容,简化了设计流程。另外,其稳健的短路耐受能力提高了系统的可靠性。

应用

DMC964010R 广泛用于工业及消费类电子领域中的功率转换设备。典型应用场景包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制器
  3. DC-DC 转换模块
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动车充电系统
  6. 通信电源
  由于其高效的性能和稳定性,DMC964010R 在高功率密度设计中尤为适用。

替代型号

DMC964010P
  IRFZ44N
  FDP5800

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DMC964010R参数

  • 数据列表DMC96401 View All Specifications
  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大125mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SSMini6-F3-B
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMC964010R-ND