时间：2025/5/20 11:17:54
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5AGXBA1D4F31C4N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关应用场合，其优化设计使其在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：12A
脉冲漏极电流：36A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1590pF
总功率耗散：85W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
5AGXBA1D4F31C4N 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下显著降低功耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能维持稳定性能。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能，降低了电磁干扰。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，便于系统集成。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
6. 其他需要高效功率管理的电子设备。
5AGXBA1D4F31C4P, IRF540N, FDP5570N
