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DMC506010R 发布时间 时间:2025/4/28 14:29:02 查看 阅读:3

DMC506010R 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-263 封装形式。该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用中。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并减少功率损耗。
  DMC506010R 属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合在中高功率应用中作为开关或同步整流元件使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(典型值):10mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关时间:ton=14ns, toff=18ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

DMC506010R 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频开关应用,同时减少开关损耗。
  3. 优化的栅极电荷设计,可与各种驱动电路兼容。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  6. 紧凑的 TO-263 封装形式,易于安装并提供良好的散热性能。

应用

DMC506010R 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器,例如降压或升压拓扑结构。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
  6. 工业自动化设备中的功率转换模块。

替代型号

DMC506010R 的常见替代型号有:IRF540N, FDP5700L, STP55NF06L

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DMC506010R参数

  • 数据列表DMC50601 View All Specifications
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)210 @ 2mA,10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装SMini6-F3-B
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMC506010RTR