时间：2025/8/2 7:47:07
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DMC4047LSD-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的双 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，以提供卓越的 RDS(on) 性能和热稳定性。DMC4047LSD-13 采用小型化的 PowerDI5060 封装，适合对空间要求较高的设计。由于其双 MOSFET 结构，它在同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等应用中表现出色。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：40V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：12.8mΩ（典型值）
功耗(Pd)：3.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerDI5060
DMC4047LSD-13 的关键特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。该器件的双 MOSFET 设计使其能够在同步整流器或双向开关应用中同时处理多个电流路径，从而简化了电路设计。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗。
另一个重要特性是其高热稳定性和可靠性，得益于 PowerDI5060 封装的优异散热性能。这种封装形式允许器件在高电流条件下保持较低的结温，延长了器件的使用寿命。此外，DMC4047LSD-13 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。
该器件还具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车电子应用。由于其优异的电气和热性能，DMC4047LSD-13 可以作为许多高性能电源管理应用中的理想选择。
DMC4047LSD-13 主要用于需要高效率和高性能的电源管理系统。它广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块以及电池供电设备。在服务器、通信设备和工业控制系统中，该器件可以用于优化电源效率并减少热量产生。
在同步整流应用中，DMC4047LSD-13 的双 MOSFET 架构能够显著降低功率损耗，提高转换效率，并减少对外部散热器的需求。在负载开关应用中，它可以实现快速开关控制，同时保持较低的导通压降，以提高系统能效。
此外，DMC4047LSD-13 也可用于电机驱动电路和功率放大器设计。其高电流处理能力和低 Rds(on) 特性使其能够在高负载条件下保持稳定运行。由于其优异的热性能，它还适用于空间受限且需要高效能的便携式电子产品，例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源。
Si7461DP-T1-GE3, DMC4046LSD-13, FDMC86130, DMP2044LK-13
