型号：DMC3400SDW-13
　　通道类型：P沟道
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　配置：双N/P通道（实际为双P沟道）
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-700mA (-30V VDS, 25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-1.4A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -10V；60mΩ @ VGS = -4.5V；80mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -1.8V
　　输入电容(Ciss)：230pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：未指定（体二极管）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

DMC3400SDW-13采用先进的TrenchFET工艺技术，这种垂直沟道结构显著提升了单位面积下的载流能力，同时有效降低了导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件在不同栅极驱动电压下均表现出优异的导通特性，尤其在-4.5V和-2.5V等低压驱动条件下仍能保持较低的RDS(on)，使其适用于由锂离子电池直接供电的3.3V或5V逻辑控制系统。其最大-30V的漏源击穿电压提供了足够的安全裕度，适用于大多数中低电压电源切换场景。两个独立的P沟道MOSFET被集成在一个微型SOT-363封装中，不仅节省PCB空间，还简化了布线复杂度，特别适合需要双路电源隔离或冗余控制的设计。每个通道均可独立操作，支持同步或异步开关控制策略。该器件具有良好的热性能，结温可达+150°C，确保在高温环境下的长期运行可靠性。输入电容仅为230pF左右，有助于降低高频开关过程中的驱动损耗，提升整体能效。此外，较窄的阈值电压范围（-1.0V至-1.8V）增强了器件的一致性和可控性，避免因阈值波动导致的误触发问题。内置的体二极管虽然不具备超快恢复特性，但在多数非高频整流应用中足以满足反向电流泄放需求。整体设计注重EMI抑制与噪声控制，适用于对电磁兼容性要求较高的精密电子系统。
　　该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适应现代绿色电子制造趋势。其小尺寸封装支持高密度贴装工艺，兼容自动回流焊流程，并可在有限散热条件下稳定工作。通过优化晶圆制造与封装技术，Diodes公司实现了在微型封装下兼顾电气性能与机械可靠性的平衡，使DMC3400SDW-13成为替代传统较大封装P-MOSFET的理想升级方案。此外，该器件经过严格的质量认证和老化测试，确保批量应用中的稳定性和一致性，适用于消费类、工业类及部分汽车电子外围电路中的电源管理模块。

DMC3400SDW-13主要用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载管理，典型应用场景包括手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的电池供电路径控制。它可用于实现多个电源域之间的切换，例如主电池与备用电源之间或USB接口电源与系统电源之间的智能切换。在DC-DC转换器中，该器件可作为同步整流器或高端开关使用，特别是在降压（Buck）拓扑中配合N沟道MOSFET进行高效能量转换。此外，它也常用于过压/过流保护电路、热插拔控制器、电源排序电路以及LED背光驱动中的电流切断功能。在多路电源系统中，双通道结构允许分别控制不同的功能模块，如射频前端、传感器阵列或显示子系统的供电启停，从而实现精细化的功耗管理。由于其支持低电压逻辑电平驱动，因此可以直接由微控制器GPIO引脚控制，无需额外的电平转换电路，进一步简化设计复杂度并降低成本。在工业自动化设备中，该器件可用于远程传感器节点的远程唤醒与断电控制，延长整体系统待机时间。此外，它也可应用于USB充电端口的限流与短路保护、SIM卡插座的电源隔离以及音频放大器的静音控制等功能模块中。得益于其高集成度和小型化优势，DMC3400SDW-13特别适合高度集成的模块化设计，如PMU（电源管理单元）周边配套元件或FPGA/CPU外围电源调节电路。

DMG3400SSS-7
　　AO3401A
　　Si2301DS
　　FDD8424P
　　RTQ2003