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DMC3028LSDXQ-13 发布时间 时间:2025/8/2 6:17:56 查看 阅读:27

DMC3028LSDXQ-13是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高性能的电源管理系统,适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景。采用先进的Trench MOSFET技术,DMC3028LSDXQ-13在小型化封装中提供了优异的电气性能,广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等领域。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):15mΩ(典型值)
  阈值电压(VGS(th)):1.5V(最小值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:PowerDI3333-8

特性

DMC3028LSDXQ-13具备低导通电阻特性,可有效降低导通损耗并提高系统效率。该器件在10A电流下的最大导通电阻仅为15mΩ,这使其在高电流应用中表现出色。此外,该MOSFET采用先进的Trench技术,优化了开关性能,减少了开关损耗。
  DMC3028LSDXQ-13的工作温度范围宽达-55°C至150°C,适应各种严苛环境条件下的运行需求。其栅极驱动电压范围为±20V,确保在不同控制电路中的稳定运行,并具有良好的抗干扰能力。
  该MOSFET采用PowerDI3333-8封装,这种封装形式具有良好的热管理和小型化设计,适用于高密度PCB布局。同时,该封装提供了良好的散热性能,确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。
  DMC3028LSDXQ-13的阈值电压为1.5V(最小值),适合与低压控制电路(如微控制器或数字信号处理器)直接配合使用,无需额外的电平转换电路。

应用

DMC3028LSDXQ-13广泛应用于各种电源管理系统和功率控制设备中。在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于高效升压或降压电路,提供稳定的电压输出。由于其低导通电阻和高开关速度,该器件在高效率电源模块中表现出色。
  该MOSFET也常用于负载开关和电源管理模块。例如,在电池供电设备中,DMC3028LSDXQ-13可用于控制电池的充放电路径,减少能量损耗并提高系统续航能力。此外,该器件适用于电机控制和电源开关应用,提供可靠的高电流切换能力。
  在工业自动化和通信设备中,DMC3028LSDXQ-13可用于高性能功率开关电路,支持高效率和高可靠性的系统设计。其小型化封装和优异的电气性能使其成为高密度PCB布局的理想选择。

替代型号

Si4406BDY, FDS6680, IRF7413, AO4406

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DMC3028LSDXQ-13参数

  • 现有数量22,559现货
  • 价格1 : ¥6.28000剪切带(CT)2,500 : ¥2.41470卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A,5.8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)27 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.2nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)641pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SO