时间：2025/8/2 6:17:56
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DMC3028LSDXQ-13是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高性能的电源管理系统，适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景。采用先进的Trench MOSFET技术，DMC3028LSDXQ-13在小型化封装中提供了优异的电气性能，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：1.5V（最小值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerDI3333-8
DMC3028LSDXQ-13具备低导通电阻特性，可有效降低导通损耗并提高系统效率。该器件在10A电流下的最大导通电阻仅为15mΩ，这使其在高电流应用中表现出色。此外，该MOSFET采用先进的Trench技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。
DMC3028LSDXQ-13的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适应各种严苛环境条件下的运行需求。其栅极驱动电压范围为±20V，确保在不同控制电路中的稳定运行，并具有良好的抗干扰能力。
该MOSFET采用PowerDI3333-8封装，这种封装形式具有良好的热管理和小型化设计，适用于高密度PCB布局。同时，该封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。
DMC3028LSDXQ-13的阈值电压为1.5V（最小值），适合与低压控制电路（如微控制器或数字信号处理器）直接配合使用，无需额外的电平转换电路。
DMC3028LSDXQ-13广泛应用于各种电源管理系统和功率控制设备中。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高效升压或降压电路，提供稳定的电压输出。由于其低导通电阻和高开关速度，该器件在高效率电源模块中表现出色。
该MOSFET也常用于负载开关和电源管理模块。例如，在电池供电设备中，DMC3028LSDXQ-13可用于控制电池的充放电路径，减少能量损耗并提高系统续航能力。此外，该器件适用于电机控制和电源开关应用，提供可靠的高电流切换能力。
在工业自动化和通信设备中，DMC3028LSDXQ-13可用于高性能功率开关电路，支持高效率和高可靠性的系统设计。其小型化封装和优异的电气性能使其成为高密度PCB布局的理想选择。
Si4406BDY, FDS6680, IRF7413, AO4406
