2DI100M050 时间：2025/8/9 2:54:51 阅读：22

2DI100M050是一款由STMicroelectronics生产的双绝缘栅双极型晶体管（Dual IGBT），主要用于高功率和高频率的电力电子应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，适用于需要高效能和可靠性的场合。

参数

类型：双IGBT
　　最大集电极-发射极电压：100V
　　最大集电极电流：50A
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通压降：约2.1V
　　短路耐受能力：有
　　绝缘等级：增强型绝缘

特性

2DI100M050具备优异的热稳定性和短路保护能力，能够在高温环境下可靠工作。
　　其增强型绝缘设计提供了更高的电气安全性，适用于需要电气隔离的应用场景。
　　该器件的低导通压降特性使其在高负载条件下仍能保持较高的效率。
　　此外，2DI100M050的双IGBT结构允许同时控制两个独立的功率通道，提高了系统的集成度和灵活性。
　　它还具有快速开关能力，适合用于高频开关电源和电机控制等应用。

应用

2DI100M050广泛应用于工业自动化、电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和太阳能逆变器等高功率电子设备。
　　在电机控制中，它能够提供高效的功率转换，减少能量损耗。
　　在太阳能逆变器中，该器件支持高效率的直流到交流转换，提高系统的整体能效。
　　此外，它还适用于需要高可靠性和高安全性的医疗设备和测试设备。