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DMC3018LSD-13 发布时间 时间:2025/6/29 4:42:53 查看 阅读:8

DMC3018LSD-13是一款高性能的MOSFET驱动芯片,广泛应用于功率转换器、电机驱动以及电源管理等系统中。该芯片能够提供高电流输出以驱动外部MOSFET,同时具备快速开关性能和低功耗特性,适合需要高效能和稳定性的应用场景。
  该芯片内部集成了多种保护机制,包括过流保护、欠压锁定、短路保护等,确保在极端条件下的安全运行。此外,其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。

参数

工作电压:4.5V至20V
  峰值输出电流:±4A
  通道数:1
  驱动延迟时间:小于50ns
  静态电流:小于1mA
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装形式:SOP-8

特性

1. 高达±4A的峰值拉电流和灌电流能力,可有效驱动大容量MOSFET。
  2. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗并提高整体效率。
  3. 内置多重保护功能,如过流保护和热关断,提升系统的可靠性和安全性。
  4. 支持宽输入电压范围(4.5V至20V),适应多种供电场景。
  5. 极低的静态电流消耗,适合电池供电的低功耗应用。
  6. SOP-8封装小巧,便于PCB布局和散热设计。

应用

DMC3018LSD-13适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率MOSFET驱动。
  2. DC-DC转换器和升压/降压电路中的主控驱动。
  3. 各类电机驱动电路,例如步进电机和无刷直流电机控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径管理。
  6. LED驱动电路中用于亮度调节的PWM信号放大。

替代型号

DMC3018LSG-13, DMC3018LSD-11, IR2110

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DMC3018LSD-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.1A,6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 6.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds631pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)