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DMC2400UV-7 发布时间 时间:2025/8/2 9:04:18 查看 阅读:27

DMC2400UV-7 是一款由 Diodes 公司生产的双通道、N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供卓越的性能和效率,适用于高频率开关应用。DMC2400UV-7采用SOT-563封装,尺寸小巧,适合空间受限的应用场合。

参数

类型:MOSFET
  沟道类型:N沟道
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4.3A
  功耗(Pd):1.2W
  导通电阻(Rds(on)):24mΩ @ Vgs=4.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

DMC2400UV-7 MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))的特点,这使得在开关应用中能够减少导通损耗,提高能效。其导通电阻在4.5V栅极驱动电压下仅为24mΩ,非常适合用于电池供电设备和DC-DC转换器。此外,该器件采用了先进的Trench沟槽技术,提供更高的性能和可靠性。
  该器件的SOT-563封装形式,不仅体积小,而且热性能良好,有助于提高功率密度。DMC2400UV-7还具有良好的热稳定性,可以在高温环境下稳定工作,从而延长设备的使用寿命。其低栅极电荷(Qg)也使得该器件在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗,提高了整体系统效率。
  另外,DMC2400UV-7具备出色的耐用性和抗干扰能力,能够在恶劣的电气环境中保持稳定运行。其设计优化了短路和过载保护性能,提高了系统可靠性。

应用

DMC2400UV-7广泛应用于多个领域,如电源管理、马达控制、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统、LED照明和汽车电子等。由于其低导通电阻和高电流能力,特别适用于高效能、小型化电源设计。在移动设备中,DMC2400UV-7可用于电池供电电路的开关控制,有效提升电池续航能力。在工业自动化系统中,该MOSFET可用于高频率开关控制,提高系统响应速度和稳定性。此外,在LED照明应用中,DMC2400UV-7可作为恒流驱动器的关键元件,确保LED亮度的均匀性和稳定性。

替代型号

DMC2400UV-7的替代型号包括DMC2400UVD-7、DMC2401UV-7以及FDMS86180。

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DMC2400UV-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.03A,700mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 200mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds37.1pF @ 10V
  • 功率 - 最大450mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMC2400UV-7DITR