QS8K2TR 时间：2025/11/8 5:05:27 阅读：4

QS8K2TR是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装肖特基二极管阵列器件，采用双共阴极配置，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、极性保护以及信号整流等场景。该器件基于肖特基势垒技术，具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复特性，能够显著提升电源系统的转换效率并减少热损耗。其封装形式为SOD-882，也称为SC-109或DFN1006-2，是一种超小型无引线封装，尺寸仅为1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm，非常适合高密度PCB布局和便携式电子设备的应用需求。由于其优异的热性能和电气性能，QS8K2TR在消费类电子产品、移动通信设备、可穿戴设备以及物联网终端中得到了广泛应用。
　　该型号中的“TR”通常表示产品以卷带包装形式供应，适合自动化贴片生产流程，有助于提高大规模制造的效率和一致性。此外，ONSEMI作为全球领先的功率半导体供应商，确保了该器件在可靠性、稳定性和长期供货能力方面的优势。QS8K2TR符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）和符合AEC-Q101汽车级认证的潜在适用性，使其不仅适用于工业与消费领域，也可用于对可靠性要求较高的汽车电子系统中。

参数

类型：双共阴极肖特基二极管
　　配置：两个独立阳极，公共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30 V
　　最大直流阻断电压（VR）：30 V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：0.5 A
　　平均整流电流（IO）：200 mA
　　正向电压（VF）：典型值0.31 V（在0.5 V下测得）
　　最大正向电压（VF(max)）：0.4 V（在IAF = 200 mA条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大1 μA（在25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-882（DFN1006-2）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：约450°C/W
　　电容（CT）：典型值30 pF（在0 V偏置下）

特性

QS8K2TR的核心特性之一是其采用先进的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为0.31 V，在200 mA的工作电流下仍能保持低于0.4 V的最大压降。这种低VF特性极大地减少了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体能效，尤其适用于电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。相比于传统的PN结二极管，肖特基二极管没有少数载流子的储存效应，因此具备近乎瞬时的开关响应速度，几乎不存在反向恢复时间（trr），有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性。
　　另一个关键优势在于其微型化封装设计——SOD-882（DFN1006-2）。这一封装不仅占用极小的PCB面积，还具备良好的散热性能，通过底部裸露焊盘将热量高效传导至PCB地层。该封装支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，满足大批量自动化组装的需求。同时，器件具有出色的机械强度和抗振动能力，适合在移动和便携设备中长期稳定运行。
　　在可靠性方面，QS8K2TR经过严格的质量控制流程，具备优良的高温工作能力和长期稳定性。其最大工作结温可达+125°C，可在恶劣环境下持续运行；反向漏电流在常温下不超过1 μA，确保在待机或轻载状态下不会产生显著漏电损耗。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，增强了在实际使用中的鲁棒性。整体而言，QS8K2TR凭借其高效、紧凑、可靠的特点，成为现代低电压、高频率电源管理电路中的理想选择。

应用

QS8K2TR广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，常被用作电池输入端的极性保护二极管，防止因误接电源导致的设备损坏。其低正向压降特性使得能量损失最小化，延长了电池续航时间。
　　在DC-DC转换器拓扑中，特别是同步降压或升压电路中，QS8K2TR可用于辅助整流路径或作为续流二极管，利用其快速响应特性减少开关损耗，提升电源转换效率。它也常见于USB接口电源管理模块中，用于过压钳位和反向电流隔离，保障主控芯片的安全。
　　此外，该器件适用于各类信号整流与箝位电路，例如在传感器信号调理、逻辑电平转换和高频脉冲检测中发挥重要作用。在汽车电子系统中，尽管不是专门标定为AEC-Q101认证型号，但由于其高可靠性和宽温工作范围，也被部分设计用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和低功率LED驱动单元中。
　　物联网节点、无线传感网络和可穿戴健康监测设备同样受益于QS8K2TR的小尺寸和低功耗特性，能够在有限的空间内实现高效的电源管理和信号处理功能。总之，凡是对空间、效率和可靠性有较高要求的低电压应用场景，都是QS8K2TR的理想使用领域。