时间：2025/8/5 22:41:52
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DMA30P1200HB是一款由东芝（Toshiba）制造的高性能功率MOSFET模块，主要应用于工业电源、逆变器和电机控制等高功率场合。该模块采用了先进的沟槽栅极技术和低导通电阻设计，以实现高效的电能转换。DMA30P1200HB采用了双MOSFET结构，封装形式为双列直插式封装（DIP），便于安装和散热。
漏源电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为170mΩ（最大值为210mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DIP（双列直插式封装）
引脚数量：13pin
短路耐受能力：具备一定的短路耐受能力
栅极驱动电压：通常为10V至15V
最大功耗：根据散热条件而定
DMA30P1200HB具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的电源系统。首先，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，DMA30P1200HB具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，提升了系统的可靠性。
此外，DMA30P1200HB采用双MOSFET结构，集成了两个功率MOSFET器件，减少了外围电路的复杂度，提高了系统集成度。这种结构特别适用于半桥或全桥拓扑结构中的应用，例如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机驱动系统。
该器件的DIP封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和维护。同时，模块内部集成了栅极驱动电路和保护电路（如过流保护、过温保护等），使得系统设计更加简洁可靠。
在工作温度范围方面，DMA30P1200HB可以在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种恶劣的工业环境。
DMA30P1200HB广泛应用于工业自动化设备、变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率场合。由于其优异的导通性能和集成化设计，该模块特别适用于需要高效电能转换和紧凑型设计的电源系统。
在电机控制领域，DMA30P1200HB可用于三相逆变器的构建，支持高性能的矢量控制或直接转矩控制（DTC）策略，提高电机的响应速度和运行效率。
在可再生能源领域，DMA30P1200HB可用于太阳能逆变器中的DC-AC转换环节，实现高效的光伏电能并网转换。其低导通损耗和高可靠性确保了系统在长时间运行下的稳定性。
此外，该模块还可用于工业电源系统中的PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的功率开关控制。
TK150A12D、TK200A12D、STY60N120DN-DS
