时间：2025/8/5 21:17:24
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IXFT26N100XHV 是一款由 IXYS 公司设计的高电压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件适用于需要高电压和高效率的应用，例如工业电机控制、电源转换、电池管理系统和高功率 DC-DC 转换器。其设计提供了出色的导通和开关性能，同时具备高雪崩能量承受能力和出色的可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：1000V
最大漏极电流 (Id)：26A（在 25°C 时）
导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.34Ω
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
技术：增强型 MOSFET
IXFT26N100XHV 具有多种显著特性，使其在高电压功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（1000V）使其适用于高电压输入环境，如电力系统和工业设备。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为 0.34Ω，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，IXFT26N100XHV 的栅极驱动要求较低，可在 10V 栅极电压下完全导通，简化了驱动电路的设计。
该器件还具备良好的热稳定性和高雪崩能量承受能力，能够承受瞬时过载和电感负载引起的电压尖峰，从而提高了系统的可靠性。封装形式为 TO-247AC，具备良好的散热性能，适用于高功率应用。此外，IXFT26N100XHV 在设计中考虑了抗短路和过热保护能力，适合在恶劣环境中使用。
IXFT26N100XHV 适用于多种高电压和高功率应用场景。常见的应用包括工业电源、电机驱动器、电池管理系统、太阳能逆变器和高功率 DC-DC 转换器。此外，它也可用于焊接设备、感应加热系统以及需要高电压开关能力的测试设备。由于其高可靠性和优异的热性能，IXFT26N100XHV 也适合用于要求严格的应用，如医疗设备和自动化控制系统。
IXFN26N100P, IXFH26N100P, IRFP460LC
