DM2G300SH6NE 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的高功率双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),专为高功率放大器和开关应用设计。该晶体管采用了先进的硅技术制造,具备高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于工业电源、音频放大器、高频开关电源和电机控制等场合。DM2G300SH6NE 具有NPN结构,采用TO-247封装,能够有效散热并适应高功率工作环境。
晶体类型:NPN型双极性晶体管
最大集电极电流(Ic):30A
最大集电极-发射极电压(Vce):160V
最大集电极-基极电压(Vcb):160V
最大发射极-基极电压(Veb):5V
最大功率耗散(Ptot):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247
增益(hFE):典型值10000(在特定测试条件下)
过渡频率(fT):8MHz
DM2G300SH6NE 是一款高性能的NPN型功率晶体管,具有多项优异的电气和物理特性。首先,其最大集电极电流可达30A,使其适用于高电流负载的应用环境。其次,集电极-发射极电压和集电极-基极电压均达到160V,具备较高的电压耐受能力,适用于高电压操作条件。该晶体管的最大功率耗散为150W,能够承受较大的功率负载,适用于高功率放大和开关电路。此外,DM2G300SH6NE 采用TO-247封装,具备良好的散热性能,有助于提高器件在高功率工作状态下的稳定性和可靠性。
其增益(hFE)在特定测试条件下可达到10000,表现出较高的电流放大能力,适用于需要高增益放大的电路设计。同时,过渡频率(fT)为8MHz,表明该晶体管在较高频率范围内仍能保持良好的放大性能,适用于中高频应用场合。该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。
此外,DM2G300SH6NE 具备良好的热稳定性和过载保护能力,能够在长时间高功率运行条件下保持稳定性能。其设计考虑了长期使用的可靠性和耐用性,适用于要求高稳定性和高可靠性的应用场合。
DM2G300SH6NE 作为一款高功率NPN型晶体管,广泛应用于多个高性能电子系统中。在工业电源领域,该晶体管可用于高功率稳压电源、开关电源(SMPS)和DC-DC转换器的设计,提供高效的能量转换能力。在音频放大器应用中,DM2G300SH6NE 可用于构建高保真功率放大器,提供高保真的音频输出,适用于专业音响系统和舞台音响设备。
在电机控制方面,该晶体管可用于直流电机驱动电路,提供高电流输出和稳定的控制性能,适用于自动化设备、工业机器人和电动工具等应用。此外,在高频开关电路中,DM2G300SH6NE 可用于构建高频逆变器和功率因数校正电路(PFC),提升电路的效率和稳定性。
由于其优异的电气特性和热稳定性,DM2G300SH6NE 还可用于汽车电子系统,如电动车动力系统、车载充电器和汽车音响系统。此外,在工业自动化控制系统中,该晶体管可用于构建高功率继电器驱动电路和传感器信号放大电路,提供稳定可靠的信号处理能力。
TIP142、MJ21194、2SD820、BDW83D