容量：4GB（4096MB）
　　接口类型：LPDDR4X
　　封装类型：BGA
　　工作电压：1.1V（核心电压VDD），0.6V（I/O电压VDDQ）
　　最大数据传输速率：4266Mbps
　　时钟频率：2133MHz
　　存储架构：x16
　　温度范围：-40°C至85°C
　　封装尺寸：100-ball BGA，8mm x 12mm x 0.7mm

H9TKNNN4JDAPLR-NDM 采用先进的LPDDR4X技术，在保持高性能的同时显著降低了功耗。LPDDR4X 是 LPDDR4 的改进版本，通过将I/O电压从1.1V降至0.6V，进一步优化了功耗，非常适合对电池寿命要求严格的移动设备。该芯片支持高速数据传输速率（最高可达4266Mbps），能够满足高分辨率显示、多任务处理和高性能计算应用的需求。
　　此外，H9TKNNN4JDAPLR-NDM 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）和预充电电源关闭模式（Precharge Power-Down），以延长设备的电池续航时间。其工作温度范围为-40°C至85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。
　　该DRAM芯片采用100-ball BGA封装，尺寸为8mm x 12mm x 0.7mm，体积小巧，便于在空间受限的移动设备中集成。它还支持多Bank组架构（Multi-Bank Groups），允许同时处理多个数据请求，从而提升内存的并行处理能力和整体性能。

H9TKNNN4JDAPLR-NDM 主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR头显设备以及高性能嵌入式系统等需要大容量、低功耗和高速内存的应用场景。由于其LPDDR4X接口支持高速数据传输和低功耗特性，这款芯片非常适合与最新的移动处理器（如Qualcomm Snapdragon、MediaTek Dimensity、Samsung Exynos等）配合使用，为设备提供流畅的多任务处理能力和高效的图形渲染性能。
　　此外，它也适用于车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备和便携式医疗设备等需要高稳定性和可靠性的应用场景。其紧凑的封装形式和宽温工作范围使其能够在严苛的环境下稳定运行。

H9HKNNN4GDAPLR-NDR、H9HQNNN4GDAPLR-NDR、H9TPNNN8GDAPLR-NEC