产品类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：35V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）@ 1A：850mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 35V, 25°C：500μA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns
　　热阻（RθJA）：250°C/W
　　极性：阴极为标记端

DM1-135C-1的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力。在1A的工作电流下，其典型正向压降仅为850mV，显著降低了导通损耗，提高了整体电源系统的转换效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少发热问题。同时，该器件具备极短的反向恢复时间（trr ≤ 5ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关环境中表现出色，能够有效抑制电磁干扰（EMI）和电压振铃现象，提升系统稳定性。
　　该二极管采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，极大节省PCB布局空间，适合高密度组装工艺，如回流焊和波峰焊。封装材料具备优良的散热性能和机械强度，能够在严苛环境条件下保持可靠连接。此外，该器件经过严格的质量控制流程，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，可在工业级和部分车载应用中稳定运行。
　　DM1-135C-1还具备良好的温度特性。随着结温升高，虽然反向漏电流会有所增加，但其增长速率受到铂掺杂工艺的有效抑制，确保在高温工况下的长期稳定性。该器件的最大工作结温可达+125°C，支持在恶劣热环境下持续运行。其热阻RθJA为250°C/W，意味着在自然对流条件下可通过优化PCB铜箔面积来改善散热效果。
　　另一个关键特性是其出色的浪涌电流承受能力。高达30A的峰值正向浪涌电流（IFSM）使其能够应对瞬态过载或启动冲击电流，避免因瞬间大电流导致的器件损坏。这一特性使其适用于开关电源输出整流、续流二极管以及反向极性保护等多种应用场景。总体而言，DM1-135C-1凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源设计中的理想选择。

DM1-135C-1广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。典型用途包括DC-DC升压或降压转换器中的续流与整流二极管，尤其适用于同步整流架构无法实现或成本受限的设计场景。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件用于电池充放电路径的极性保护和防反接电路，防止因误插电池或外部电源而导致的系统损坏。
　　在AC-DC适配器和离线电源的次级侧整流环节，DM1-135C-1可用于低压输出（如5V、3.3V）的高效整流，因其低VF特性可显著降低功耗，提高能效等级。此外，它也常用于逆变器、LED驱动电源和USB供电接口中的隔离与整流功能。
　　工业控制领域中，该二极管可用作继电器或电感负载的续流二极管，吸收关断时产生的反电动势，保护开关元件（如MOSFET或三极管）。在太阳能充电控制器、电机驱动板和传感器模块中，DM1-135C-1提供可靠的单向导通功能，确保系统安全运行。
　　由于其符合RoHS和无卤素要求，且具备良好的高频响应特性，该器件也被推荐用于通信设备、网络路由器和嵌入式主板的电源轨管理中。总之，凡是需要高效、小型化、高可靠性的整流或保护功能的应用场合，DM1-135C-1都是一个极具竞争力的解决方案。

B130WA-13-F
　　B130LB-13-F
　　MBR140
　　SB130
　　SS14