晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据不同档位）
　　最大基极电流（IB）：20mA
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

DL4686D-TP的主要特性之一是其高频率响应能力，适用于射频（RF）和高速开关应用。其fT（过渡频率）高达250MHz，使得该晶体管能够在高频条件下保持良好的增益表现。此外，该器件的电流增益范围广泛，根据不同的hFE等级（例如O档、Y档、GR档、BL档等），其增益可在110至800之间变化，适应不同放大需求。
　　DL4686D-TP采用SOT-23小型封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在空间受限的PCB设计中使用。该晶体管的功耗较低，最大功耗为200mW，因此适用于低功耗电子设备。同时，其集电极-发射极击穿电压为30V，能够在中等电压环境下稳定工作。
　　在可靠性方面，DL4686D-TP具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），适合在工业级环境中使用。其基极驱动电流限制为20mA，避免因过大的基极电流导致器件损坏。由于其NPN结构，该晶体管在电路中常用于电流放大或作为电子开关使用。

DL4686D-TP常用于各类电子电路中，尤其是在需要中等功率放大的场合。例如，在音频放大器前级、信号调理电路和逻辑电平转换电路中，该晶体管可以作为放大或开关元件使用。由于其高频特性，DL4686D-TP也常见于射频前端电路、无线通信模块和射频识别（RFID）系统中。
　　此外，DL4686D-TP还可用于驱动LED、继电器和小型电机等负载。在数字电路中，该晶体管常被用作缓冲器或反相器，用于增强信号驱动能力。它也适用于各种嵌入式系统、传感器接口电路和工业控制设备中，为系统提供稳定可靠的开关和放大功能。

MMBT3904, 2N3904, BC847, 2N4401