时间：2025/10/7 6:19:46
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UWT1E4R7MCL2GB 是一款由三星（Samsung）推出的高容量、高性能嵌入式通用闪存存储（eUFS, embedded Universal Flash Storage）产品，专为高端智能手机、平板电脑和其他对存储性能有严苛要求的移动设备设计。该型号遵循JEDEC制定的UFS 3.1标准，结合了先进的NAND闪存技术与高效的串行接口架构，提供了远超传统eMMC的读写速度和响应能力。UWT1E4R7MCL2GB的具体配置为1TB（1024GB）容量，采用单芯片封装形式集成在设备主板上，不可更换，适用于追求极致多任务处理、大型应用加载、8K视频录制及高速数据传输的应用场景。此器件使用BGA封装，具备良好的电气性能和散热特性，并支持多种高级功能如写入增强器（Write Booster）、深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）、主机性能提升器（HPB, Host Performance Booster）等，以优化系统整体表现并延长电池续航。作为三星高端移动存储解决方案的一部分，UWT1E4R7MCL2GB代表了当前嵌入式闪存在密度、能效和可靠性方面的先进水平。
品牌：Samsung
型号：UWT1E4R7MCL2GB
产品类型：嵌入式UFS 3.1闪存
容量：1TB (1024GB)
接口标准：UFS 3.1
封装类型：BGA
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +85°C
电源电压：VCC: 2.7V - 3.6V, VCCQ: 1.7V - 1.95V
数据速率：高达2900MB/s（理论双通道带宽）
符合RoHS环保标准：是
UWT1E4R7MCL2GB 具备多项先进技术特性，使其成为旗舰级移动设备的理想选择。
首先，其基于UFS 3.1规范，采用了双通道串行接口设计，显著提升了数据吞吐能力。相较于前代UFS 3.0，虽然物理层速率保持在每通道2.9Gbps不变，但通过引入Host Performance Booster（HPB）技术，将常用L2P（逻辑到物理地址映射表）存储于高速主控而非慢速NAND中，大幅减少了地址查询延迟，从而提高随机读取性能，尤其在应用启动和文件检索方面表现突出。
其次，该芯片集成了三星自主研发的第五代V-NAND技术，采用TLC（Triple-Level Cell）结构，在保证高密度存储的同时兼顾耐久性和成本效益。通过增加堆叠层数（例如128层或更高），实现了1TB的超高容量集成于单一BGA封装内，满足用户对海量本地存储的需求。
再者，功耗管理方面，UFS 3.1支持深度睡眠模式（Deep Sleep Mode），可在设备待机时有效降低静态功耗；同时Write Booster技术利用SLC缓存机制，临时将部分TLC模拟为S形状态进行高速写入，极大提升了连续写入速度，适合拍摄4K/8K视频或进行大型游戏安装。
此外，该器件还支持命令队列（Command Queueing）机制，允许最多32条指令并发执行，减少I/O等待时间，提升多任务效率。配合全双工通信能力，可同时进行读写操作，进一步优化用户体验。
最后，安全性方面，支持硬件级加密、安全启动和可信执行环境（TEE）集成，保障用户数据隐私与系统完整性。综合来看，UWT1E4R7MCL2GB不仅提供卓越性能，还在能效、可靠性和智能化管理方面达到行业领先水平。
UWT1E4R7MCL2GB 主要应用于对存储性能和容量有极高要求的高端移动智能设备。
其典型应用场景包括旗舰级智能手机和平板电脑，这些设备通常配备高性能处理器、高分辨率摄像头以及支持5G网络连接，需要快速加载大型应用程序、流畅运行图形密集型游戏、高效处理多轨道高清视频编辑任务。搭载该UFS芯片后，系统能够实现秒级应用启动、毫秒级文件访问响应以及持续稳定的高码率视频录制能力，显著提升整机用户体验。
此外，它也适用于高端AR/VR头显设备，这类产品依赖低延迟的数据流来维持沉浸感，UFS的高速读取能力和命令队列机制有助于减少画面卡顿和加载等待时间。
在工业手持终端、移动医疗设备或车载信息娱乐系统中，若需长期稳定运行复杂操作系统并保存大量运行日志或影像资料，UWT1E4R7MCL2GB也能提供可靠的存储支持。
由于其嵌入式设计特点，该芯片直接焊接于PCB板上，适用于空间受限但追求极致性能的小型化电子产品，避免了可插拔存储介质带来的机械不稳定风险。
随着AI大模型本地部署趋势的发展，部分高端手机开始支持本地AI推理运算，这需要频繁访问庞大的参数文件，而UWT1E4R7MCL2GB的高随机读取性能恰好满足此类新兴应用需求。因此，它是构建下一代智能终端不可或缺的核心组件之一。
