时间:2025/12/26 11:07:47
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DL4005-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装封装(SOD-123),具有紧凑的尺寸和优异的电气性能,广泛应用于各类电子设备中。该器件专为高效率、低电压整流设计,其主要特点包括低正向电压降、快速开关响应以及良好的热稳定性。这些特性使其在便携式电子产品、电源管理电路、DC-DC转换器以及信号整流等场景中表现出色。DL4005-13-F的命名遵循行业标准:'DL'代表Diodes公司的二极管产品线,'4005'为型号标识,'-13-F'表示其包装形式为带载卷盘的编带包装(Tape and Reel),适用于自动化贴片生产流程。这款二极管符合RoHS环保要求,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好材料的需求。此外,其结构采用铜合金引线框架,增强了导热性和机械强度,同时提升了长期可靠性。由于其小体积与高性能的结合,DL4005-13-F成为许多空间受限但对效率有较高要求的应用中的理想选择。
类型:肖特基二极管
封装/外壳:SOD-123
最大重复反向电压(VRRM):40V
平均整流电流(IO):500mA
峰值正向浪涌电流(IFSM):8A
最大正向电压(VF):550mV @ 500mA, 1V @ 1A
最大反向漏电流(IR):200μA @ 40V, 25°C;500μA @ 40V, 125°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
反向恢复时间(trr):典型值5ns
安装方式:表面贴装
引脚数:2
DL4005-13-F的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体接触形成势垒,从而实现比传统PN结二极管更低的正向导通压降。在500mA的工作电流下,其正向电压仅为550mV左右,显著降低了功率损耗,提高了系统整体能效。这对于电池供电设备尤其重要,因为它可以延长续航时间并减少发热。此外,在1A瞬态电流条件下,VF约为1V,仍保持较低水平,适合应对短时高峰值负载的情况。
该器件具备极快的开关速度,反向恢复时间(trr)典型值仅为5ns,远低于普通整流二极管(通常在数百纳秒以上)。这意味着它在高频开关应用如DC-DC变换器中能够有效减少开关损耗,抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升电源系统的稳定性和效率。由于没有少子存储效应,肖特基二极管在关断过程中几乎不产生反向恢复电荷,进一步优化了动态性能。
DL4005-13-F的反向漏电流控制良好,在常温25°C、40V反向电压下的最大IR为200μA,在高温125°C时上升至500μA。虽然相比普通硅二极管略高,但在同类肖特基产品中属于合理范围,并可通过电路设计进行补偿。其最大重复反向电压为40V,适合用于5V、12V或24V电源轨的续流、防反接或隔离应用。
封装方面,SOD-123是一种小型化塑料封装,尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,节省PCB空间,便于高密度布局。该封装具备良好的散热能力,配合合理的PCB焊盘设计可有效传导热量。此外,产品采用无铅镀层和绿色模塑料,符合现代环保标准,适用于消费类电子、工业控制、通信模块等多种领域。
DL4005-13-F广泛应用于多种中低功率电子系统中,尤其是在对效率、尺寸和可靠性要求较高的场合。一个典型应用场景是作为DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管。在降压(Buck)或升压(Boost)拓扑中,该器件可在主开关管关断期间提供电流通路,防止电感电流突变导致电压反冲,保护开关元件。由于其低VF和快速响应特性,能显著降低整流损耗,提高电源转换效率,特别是在轻载或中等负载条件下表现更佳。
在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中,DL4005-13-F常用于电池充放电路径的防反接保护或电源切换电路中。例如,在双电源输入(USB与电池)切换时,可用作OR-ing二极管,防止电流倒灌,确保系统供电安全。其小尺寸封装非常适合高密度PCB布局,而低功耗特性有助于延长待机时间。
在适配器、充电器和LED驱动电源中,该二极管可用于次级侧整流环节,替代传统快恢复二极管以提升效率。尽管其耐压仅为40V,限制了在高压输出场景的使用,但对于5V至24V输出的电源而言完全适用。
此外,DL4005-13-F也适用于信号整流、箝位电路、ESD保护路径以及各种模拟前端电路中。在工业传感器、IoT节点、无线模块等嵌入式系统中,常被用作电源轨间的隔离元件或瞬态抑制辅助器件。得益于其高可靠性和自动化生产兼容性,该型号已被大量用于批量制造的产品中。
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"SBM1040LSFT1G",
"1N5819WS",
"BAT54C",
"MBR0540",
"SMS7621"
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