T0861NH 时间：2025/5/9 14:45:47 阅读：11

T0861NH 是一种基于硅材料制造的高压、高频功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等应用中，具有高效率和低损耗的特点。其采用了先进的制造工艺，确保了较低的导通电阻和优异的热性能。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：6.1A
　　栅极电荷：32nC
　　导通电阻：4.5Ω
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

T0861NH 的主要特性包括以下几点：
　　1. 高耐压能力：能够承受高达 800V 的漏源电压，适用于高电压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻：在同类产品中具有较低的导通电阻值 (4.5Ω)，从而降低了功率损耗。
　　3. 快速开关速度：由于其较小的栅极电荷 (32nC)，可以实现快速开关，减少开关损耗。
　　4. 高可靠性：通过严格的测试流程，能够在极端温度条件下稳定运行。
　　5. 热性能优良：采用 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能，有助于提升整体系统的稳定性。

应用

T0861NH 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源：作为主开关管使用，提供高效的能量转换。
　　2. DC-DC 转换器：用于升降压电路中的功率开关。
　　3. 电机驱动：控制直流电机或无刷电机的运行状态。
　　4. 逆变器：在光伏逆变器或不间断电源 (UPS) 中发挥关键作用。
　　5. 其他需要高压高频开关的应用场景。