DKMD2080 时间：2025/8/16 1:17:54 阅读：28

DKMD2080 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET系列。该器件设计用于高频率开关应用，具备优良的热稳定性和导通性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：160A @ Tc=25℃
　　导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

DKMD2080具备极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的沟槽栅技术，提供更高的电流密度和更好的热性能。
　　其高功率耗散能力（300W）使其适用于高功率密度设计。
　　内置的雪崩能量保护功能增强了器件的可靠性和抗过载能力。
　　DKMD2080支持快速开关操作，适用于高频开关电源应用。
　　由于其优良的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　TO-263（D2PAK）表面贴装封装形式便于自动化生产，同时具备良好的散热性能。

应用

DKMD2080 主要用于高性能电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和48V轻混系统等。
　　在工业控制方面，DKMD2080常用于伺服电机驱动、工业电源模块和高功率LED照明系统。
　　此外，它还可用于服务器电源、通信设备电源和储能系统等高要求应用场景。