类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23（T/R表示卷带封装）
　　电流增益（hFE）：典型值为110-800，根据不同等级划分
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　最大集电极截止电流（Icbo）：100nA
　　最大发射极截止电流（Iebo）：100nA

DI106S(L)T/R晶体管采用先进的硅工艺制造，具备高可靠性和优异的热稳定性。该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，分为多个等级，适用于不同精度要求的电路设计。其高频特性（fT为100MHz）使其适合用于高频放大器和开关电路。
　　DI106S(L)T/R的封装采用SOT-23小型封装，节省空间，便于自动化装配。该晶体管具备良好的抗静电能力，并能在较宽的温度范围内稳定工作。此外，DI106S(L)T/R具有较低的饱和电压（Vce(sat)），有助于减少功耗并提高能效。
　　该晶体管的基极-发射极结具有良好的线性特性，适用于模拟放大电路。其快速开关特性也使其适用于数字开关电路和脉宽调制（PWM）控制应用。DI106S(L)T/R还具备良好的抗热冲击性能，可在恶劣的工业环境下稳定运行。

DI106S(L)T/R晶体管广泛应用于各种电子电路中，包括电源管理、DC-DC转换器、LED驱动、马达控制、继电器驱动、工业自动化控制系统和消费类电子产品。
　　在电源管理电路中，DI106S(L)T/R可用于稳压电路或作为开关元件，控制负载的通断。在DC-DC转换器中，该晶体管可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在马达控制和继电器驱动电路中，DI106S(L)T/R可用于控制高电流负载，提供稳定的开关性能。
　　此外，DI106S(L)T/R也可用于音频放大器、信号处理电路和数字逻辑电路中。在消费类电子产品中，该晶体管常用于LED背光控制、电池充电管理和传感器信号放大等应用场景。

2N3904, BC817, 2N4401