DI104S-L T/R 时间：2025/8/14 19:58:16 阅读：9

DI104S-L T/R 是一款由半导体制造商生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，通常用于数字和模拟电路中的信号放大和开关应用。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管，采用SOT-23-6封装，适合高密度PCB布局。DI104S-L T/R具有较高的可靠性、稳定性和良好的温度特性，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

晶体管类型：NPN x2
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散：200mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23-6

特性

DI104S-L T/R 采用双晶体管阵列设计，内部两个NPN晶体管具有相同的电气特性，适用于需要匹配晶体管对的应用场景，如差分放大器、逻辑电平转换和开关电路。
　　该器件的高电流增益范围（110至800）使其能够在低电流应用中保持良好的放大性能，同时具备较低的饱和压降，有助于提高能效。
　　DI104S-L T/R 的 SOT-23-6 封装不仅体积小巧，便于在高密度电路中使用，而且具备良好的热稳定性，适合表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率和装配可靠性。
　　此外，该晶体管的高工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于多种恶劣环境条件下的应用，如工业自动化、汽车电子和便携式电子设备。

应用

DI104S-L T/R 主要用于数字和模拟电路中的信号放大、开关控制和电平转换。常见应用包括：逻辑门电路、驱动LED和小型继电器、音频放大器的前级放大、传感器信号调理、电源管理电路以及各类嵌入式系统中的接口控制。
　　由于其双晶体管结构，DI104S-L T/R 特别适合用于差分放大器、推挽输出级和需要匹配晶体管对的电路设计。在通信设备中，它可用于射频信号的放大和处理；在消费电子产品中，常用于控制显示屏背光、按键扫描和电机驱动等场景。
　　此外，该器件在工业控制系统中可用于PLC模块、继电器驱动、传感器接口以及自动化设备中的信号处理电路。