DI104S TR 时间：2025/8/14 17:56:13 阅读：4

DI104S TR是一款由Diodes Incorporated生产的双路N沟道增强型MOSFET，采用SOT-26封装形式，适用于便携式电子设备、电源管理和开关电路等应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高频率响应和优良的热稳定性，非常适合用于需要高效能和低功耗的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：300mA
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=4.5V；0.65Ω @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-26

特性

DI104S TR采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了低导通电阻和高开关速度。其双路MOSFET结构允许在同一个封装中集成两个独立的MOSFET器件，从而节省PCB空间并提高设计灵活性。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V的驱动电压，适用于低电压逻辑接口。此外，DI104S TR具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合用于便携式设备、电池管理系统、DC-DC转换器以及负载开关等应用。SOT-26封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，能够满足高密度电子产品的设计需求。
　　DI104S TR的封装设计使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。其低漏电流特性也有助于减少静态功耗，延长电池寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。