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DHG10I600PM 发布时间 时间:2025/12/26 19:46:21 查看 阅读:11

DHG10I600PM是一款由Diodes Incorporated生产的高压、高速绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高效率开关应用而设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优势,适用于需要高电压阻断能力和快速开关性能的电力电子系统。其额定电压为600V,连续集电极电流可达10A,适合在中等功率范围内工作的设备中使用。该IGBT采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)技术,优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡,从而提升了整体能效。器件封装形式为TO-247,具备良好的热传导性能,便于安装散热器以应对高功率工作条件下的热量积累。DHG10I600PM广泛应用于开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动、感应加热及消费类或工业类电源系统中。该器件符合RoHS环保标准,并具有可靠的隔离特性,适用于对安全性和稳定性要求较高的应用场景。

参数

型号:DHG10I600PM
  类型:IGBT
  集电极-发射极击穿电压:600V
  集电极电流(连续):10A
  集电极电流(脉冲):40A
  栅极-发射极电压(最大):±20V
  饱和压降(Vce(sat)):2.0V(典型值,@ Ic=10A, Vge=15V)
  开关时间(开启):35ns
  开关时间(关断):85ns
  工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  输入电容(Ciss):1800pF(@ Vce=25V)
  反向恢复时间(内部二极管):250ns

特性

DHG10I600PM具备优异的开关特性和热稳定性,采用先进的沟槽栅与场截止层技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,使其在高频开关应用中表现出色。该IGBT的饱和压降低至2.0V左右,在额定负载下可有效减少功率损耗,提高系统整体效率。其快速的开启和关断响应时间(分别为35ns和85ns)确保了在高频率操作下的稳定性和动态响应能力,适用于高达数十kHz的PWM控制场景。器件内置的快速恢复反并联二极管具有250ns的反向恢复时间,能够在感性负载切换过程中提供高效的续流路径,同时减少反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰。该IGBT具备良好的热阻特性,TO-247封装提供了较低的热阻(Rth(j-c)约0.5°C/W),有助于将芯片热量高效传递至外部散热系统,保障长时间运行的可靠性。
  此外,DHG10I600PM具有较强的过载和短路耐受能力,栅极结构设计优化了阈值电压稳定性,典型开启阈值电压为6V,避免因噪声干扰导致误触发。其±20V的栅极-发射极电压容限增强了驱动电路的兼容性,支持多种标准驱动IC的直接控制。该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,结温可达+150°C,适合在恶劣工业环境中部署。所有材料符合RoHS和无卤素要求,满足现代电子产品对环保和安全的严格标准。综合来看,DHG10I600PM在性能、可靠性和能效方面达到了良好平衡,是中等功率电力转换系统的理想选择之一。

应用

DHG10I600PM广泛应用于各类中等功率电力电子设备中,尤其适用于需要高效、高频开关操作的场景。常见应用包括交流-直流和直流-交流转换系统,如单相逆变器、UPS不间断电源和太阳能微型逆变器,其快速开关能力和低导通损耗有助于提升能源转换效率。在电机驱动领域,该IGBT可用于家用电器(如变频空调、洗衣机)和小型工业电机的功率控制模块,实现精确的转速调节与节能运行。此外,在感应加热设备(如电磁炉、电热水壶)中,DHG10I600PM能够承受高重复脉冲电流并保持稳定工作,配合谐振电路实现高效的能量耦合。
  该器件也常用于高功率开关电源(SMPS),特别是在PFC(功率因数校正)升压拓扑和主功率开关级中,其600V耐压等级适配通用输入电压范围(90–265VAC)下的母线电压需求。在照明电源、LED驱动电源以及工业电源模块中,DHG10I600PM凭借其高可靠性与紧凑封装,成为主流设计方案中的关键元件。由于其TO-247封装易于安装与散热,特别适合需要手动焊接或模块化组装的生产环境。总体而言,该IGBT适用于对体积、效率和成本有综合考量的消费类与工业类电源产品。

替代型号

FGA10N60SMD
  KSC2738YBU
  STGP10NC60KD}
  

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DHG10I600PM参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.35V @ 10A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)35ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电15µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220AB 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件