时间：2025/8/21 6:11:34
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V62C5181024LL35W 是一个特定型号的电子元件，通常用于高性能计算、工业控制或通信系统中。该元件属于静态随机存取存储器（SRAM）类别，具有高速读写能力和低功耗的特点。适用于需要高可靠性和高性能的嵌入式系统、数据存储缓冲器、高速缓存等场景。
类型：静态随机存取存储器（SRAM）
容量：18Mbit（512K x 36）
电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装：165-BGA
访问时间：3.5ns
接口类型：并行
制造工艺：CMOS
功耗：低功耗设计
封装尺寸：17mm x 17mm
V62C5181024LL35W 是一款高性能SRAM芯片，具备高速访问能力，访问时间仅为3.5ns，适用于对响应时间要求极高的系统。其宽温范围（-55°C至+125°C）使其适用于恶劣环境下的工业和军事设备。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造，能够在保证性能的同时降低整体功耗，延长设备续航时间。此外，V62C5181024LL35W 提供165-BGA封装形式，适合高密度PCB布局，提升系统集成度。该器件还具备良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。其并行接口支持高速数据传输，适用于实时数据处理场景。
V62C5181024LL35W 通常应用于高端嵌入式系统、工业自动化控制设备、航空航天电子系统、雷达和通信设备、高速数据采集系统以及测试测量仪器。由于其高可靠性和宽温特性，特别适合用于军事、航天、工业控制等对性能和稳定性要求较高的领域。
V62C5181024LL35B，V62C5181024LL45W
