时间：2025/9/14 12:24:34
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DGSK36-03CS 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优良的热性能。DGSK36-03CS 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中，提供高效的功率开关功能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 3.6mΩ（在 VGS=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双片封装
功耗（PD）：4.4W
DGSK36-03CS 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件的低 RDS(on) 特性使其在高效率 DC-DC 转换器和电源管理系统中表现出色，能够有效降低发热，提高系统效率。
这款 MOSFET 支持高达 30A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽广，支持常见的 4.5V 至 20V 驱动电压，兼容多种控制电路设计。DGSK36-03CS 的封装采用 PowerPAK SO-8 双片形式，具有良好的散热性能，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。
此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，如同步整流、电机驱动和电池管理系统等。
DGSK36-03CS 广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于同步整流 DC-DC 转换器，以提高转换效率。此外，该器件也常用于负载开关、电源管理单元（PMU）、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路中。
在消费类电子产品中，DGSK36-03CS 可用于便携式设备的电源管理，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源系统。在工业控制领域，该 MOSFET 可用于自动化设备的电机驱动和电源调节模块。由于其良好的热性能和高可靠性，它也被广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等。
此外，DGSK36-03CS 还适用于服务器和通信设备中的电源模块设计，支持高效率和高功率密度的电源解决方案。
SiSS230DN, TPS6208A01DGQR, IPB032N03L06, BSC036N03MS, FDMC86228
