DG529EWN 是一款高性能的 CMOS 模拟开关,具有低导通电阻和低电荷注入的特点,适用于需要高精度信号切换的应用场景。该器件采用小型化封装设计,适合在空间受限的环境中使用。DG529EWN 提供了出色的电气性能,同时确保了较低的功耗。
它支持单刀双掷 (SPDT) 的开关功能,可以灵活地用于多种模拟和数字信号路径切换需求。
型号:DG529EWN
类型:CMOS 模拟开关
封装:SOIC-8
工作电压范围:-5.5V 至 +5.5V
导通电阻:1Ω(典型值)
电荷注入:±0.3pC(典型值)
带宽:400MHz(典型值)
输入电容:2pF(典型值)
关断泄漏电流:±1nA(最大值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
1. 低导通电阻设计确保了最小的信号失真和插入损耗。
2. 极低的电荷注入使其非常适合高速和高精度应用。
3. 宽工作电压范围使得它可以兼容多种电源环境。
4. 小型化的 SOIC-8 封装减少了 PCB 占用面积。
5. 支持高频信号切换,带宽高达 400MHz,满足现代电子系统的需求。
6. 超低关断泄漏电流,保证了其在高阻抗电路中的表现。
1. 音频信号路径切换。
2. 视频信号路由和切换。
3. 数据采集系统的多路复用。
4. 医疗设备中的高精度信号处理。
5. 工业自动化中的传感器信号切换。
6. 测试测量设备中的信号隔离与选择。
7. 通信系统中的高频信号切换。
DG469, ADG629