时间：2025/5/19 17:03:21
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DG200AK是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率开关、电机驱动、负载开关等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频应用中提供高效的性能。
其封装形式通常为TO-220，适合高电流和高电压的场景，能够承受较高的漏源电压和连续漏极电流。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻：35mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：19nC（典型值）
开关时间：ton=11ns，toff=38ns（典型值）
结温范围：-55℃至+150℃
DG200AK具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可以显著降低功率损耗。
2. 快速开关能力，适用于高频电路设计。
3. 高电流处理能力，支持高达18A的连续漏极电流。
4. 较高的漏源电压耐受能力，达到60V。
5. 稳定的工作温度范围，能够在极端环境下可靠运行。
6. 小巧的TO-220封装，便于安装和散热管理。
DG200AK适用于多种电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
6. 汽车电子中的各种功率控制模块。
IRFZ44N, STP18NF06L
