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DFLZ9V1-7 发布时间 时间:2025/12/26 12:53:30 查看 阅读:16

DFLZ9V1-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压箝位、过压保护和电压参考等应用。该器件采用SOD-323封装,具有小型化、高可靠性以及良好的热稳定性等特点,适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板设计。DFLZ9V1-7的标称齐纳电压为9.1V,稳压精度高,动态阻抗低,能够在较宽的电流范围内维持稳定的输出电压。其反向击穿电压公差通常控制在±5%以内,确保了在各种工作条件下的电压稳定性。该齐纳二极管的最大耗散功率为200mW,适合用于低功耗系统中的稳压或保护电路。此外,DFLZ9V1-7具备优良的温度系数,在高温环境下仍能保持可靠的性能表现,因此广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及信号调理电路中。

参数

型号:DFLZ9V1-7
  类型:齐纳二极管
  封装:SOD-323
  最大耗散功率:200mW
  标称齐纳电压:9.1V
  齐纳电压容差:±5%
  测试电流:5mA
  最大齐纳阻抗:20Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C

特性

DFLZ9V1-7齐纳二极管具备优异的电气特性和环境适应能力,其核心优势体现在稳定可靠的电压调节性能上。该器件在5mA的测试电流下可提供精确的9.1V齐纳电压,且电压波动范围控制在±5%以内,保证了在多种负载条件下的电压一致性。其低动态阻抗(最大20Ω)意味着在电流变化时电压波动小,能够有效抑制噪声和瞬态干扰,提升系统的信号完整性。由于采用先进的半导体制造工艺,DFLZ9V1-7在长时间运行中表现出良好的长期稳定性与老化特性,避免因电压漂移导致系统故障。
  该器件的SOD-323封装尺寸仅为2.8mm x 1.7mm x 1.1mm,非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产,有助于缩小终端产品体积并提高组装效率。封装材料符合RoHS环保标准,并通过了无铅焊接工艺验证,可在回流焊过程中承受高温冲击而不影响性能。DFLZ9V1-7还具备较强的抗湿性和机械强度,增强了在复杂环境下的可靠性。
  在热性能方面,该齐纳二极管具有较低的热阻,能够在有限的散热条件下安全运行。其工作结温可达+150°C,适用于工业级和汽车级应用场景。此外,该器件对反向漏电流进行了优化,在未达到击穿电压前漏电极小,降低了待机功耗。综合来看,DFLZ9V1-7以其高精度、小尺寸、高可靠性和良好热性能,成为现代电子系统中理想的电压基准和保护元件选择。

应用

DFLZ9V1-7广泛应用于各类需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。常见用途包括电源轨的电压箝位保护,防止瞬态高压损坏敏感的后级IC;作为低压模拟电路中的参考源,用于ADC或DAC的偏置电压生成;在接口电路(如USB、I2C、GPIO)中实现ESD防护和电平整形;也可用于反馈回路中稳定开关电源的输出电压。此外,该器件适用于便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的低功耗稳压需求,以及工业传感器、物联网节点、智能家居控制模块等对空间和能效要求较高的场景。由于其良好的温度稳定性,也常被用于汽车电子中的辅助电源监控电路。

替代型号

BZT52C9V1-7-F,DZ2J9V1-7

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DFLZ9V1-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)9.1V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 5V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)4 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳2-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装PowerDI? 123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称DFLZ9V1DIDKR