类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：13V（标称值）
　　齐纳电压容差：±5%
　　测试电流（IzT）：1mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：500Ω
　　最大功率耗散（Ptot）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流（IR）：1μA（最大，VR = 8.8V）
　　温度系数：+5.5 mV/°C（典型）

DFLZ13-7-F齐纳二极管的核心特性在于其精确的电压调节能力和优异的热稳定性。该器件在1mA的测试电流下实现13V的标称齐纳电压，且电压容差控制在±5%以内，确保在各种工作条件下都能提供可靠的稳压效果。其最大齐纳阻抗为500Ω，意味着在负载变化时电压波动较小，有利于维持电路节点的电平稳定。这一低阻抗特性使其特别适用于对电压精度要求较高的参考源设计，例如ADC基准电压生成或比较器阈值设定。
　　该器件采用SOD-323微型表面贴装封装，尺寸仅为1.7mm × 1.25mm × 1.1mm，极大节省了PCB空间，非常适合应用于智能手机、可穿戴设备、物联网传感器等高度集成的电子产品中。封装材料具有良好的导热性能，配合优化的芯片结构，可在200mW的最大功率下长期稳定工作。尽管功率较低，但在轻载应用中足以胜任电压钳位和瞬态保护任务。
　　DFLZ13-7-F的工作结温范围高达+150°C，表明其具备出色的高温耐受能力，适用于环境温度变化剧烈的应用场景，如车载电子或工业控制器。同时，其负温度系数经过精心设计，典型值为+5.5mV/°C，说明随着温度上升，齐纳电压略有增加，这种正向漂移特性在某些补偿电路中可被利用以抵消其他元件的负温度效应。
　　该齐纳二极管还表现出极低的反向漏电流，在8.8V反向电压下的最大漏电流仅为1μA，这显著降低了静态功耗，提升了电池供电系统的能效表现。此外，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体型号等级），增强了在汽车电子中的适用性。整体而言，DFLZ13-7-F凭借其高精度、小尺寸、低功耗和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

DFLZ13-7-F广泛应用于多种电子系统中，主要功能包括电压参考、过压保护、电平移位和电源监控等。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机，它常被用作模拟电路模块的基准电压源，为传感器接口、音频放大器或ADC提供稳定的偏置电压。由于其低功耗特性，即使在待机状态下也不会显著影响电池寿命，因此非常适合移动设备的设计需求。
　　在电源管理电路中，DFLZ13-7-F可用于构建简单的线性稳压器或作为反馈网络的一部分，帮助调节开关电源的输出电压。当主稳压IC失效时，该齐纳二极管还可充当后备保护元件，防止输出电压过高而损坏下游IC。此外，在LED驱动电路中，它可以用于设定电流检测电阻上的电压阈值，实现恒流控制。
　　在工业控制领域，DFLZ13-7-F常用于PLC输入模块的信号调理电路中，对来自现场设备的模拟信号进行钳位处理，避免因感应电压或静电放电造成MCU引脚损伤。其快速响应特性和稳定的击穿行为使其能在瞬态干扰发生时迅速动作，将电压限制在安全范围内。
　　在通信设备中，该器件可用于RS-232、I2C或UART接口的ESD防护和电平匹配，防止总线电压超出逻辑器件的承受范围。同时，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统或车身控制模块，DFLZ13-7-F可用于电池电压监测电路中，配合分压电阻形成一个简单的欠压/过压检测点，触发微控制器执行相应的保护策略。总之，其多功能性和高可靠性使其在各类电子系统中均有广泛应用价值。

BZT52C13-7-F
　　MMBZ5239BLT1G
　　ZMM13
　　1N4742A