FQD4N50TM_NL 时间：2025/12/29 15:24:45 阅读：11

FQD4N50TM_NL是一款N沟道增强型功率MOSFET，由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，适用于高电压和高功率应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，非常适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场景。FQD4N50TM_NL采用TO-252（DPAK）封装，便于散热，同时节省空间，适用于各种高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏-源电压（VDS）：500V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

FQD4N50TM_NL是一款具有优异性能的功率MOSFET，其主要特性之一是低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的导通电阻在VGS为10V时仅为2.5Ω，使其适用于高效率的电源转换系统。
　　此外，FQD4N50TM_NL具备高耐压能力，最大漏-源电压可达500V，适合用于高电压应用场景，如AC-DC电源、工业电机控制和光伏逆变器等。其高栅极阈值电压（VGS(th)）确保了器件在高温和高噪声环境下仍能稳定工作。
　　该MOSFET的封装采用TO-252（DPAK）形式，具有良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，提高了装配效率和可靠性。其热阻较低，有助于在高功率应用中维持稳定的温度控制。
　　器件的开关特性表现优异，具备快速开关能力和较低的开关损耗，适合高频应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。此外，其内部结构优化，减少了寄生电容和电感，提高了整体动态性能。
　　FQD4N50TM_NL还具有较强的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供良好的保护性能，避免因过压或过流导致的损坏。这使其在工业控制、汽车电子和可再生能源系统中具有广泛的应用潜力。