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DFLS130-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 10:39:11 查看 阅读:12

DFLS130-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,专为高速开关应用设计。该器件采用SOT-23封装,内部集成了两个独立的肖特基二极管,连接方式为共阴极配置,适用于需要低正向电压降和快速反向恢复时间的电路环境。DFLS130-7-F因其小型化封装和高性能特性,广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、信号整流与保护电路中。该二极管采用先进的硅工艺制造,具备良好的热稳定性和可靠性,符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,适合现代绿色电子产品的需求。其工作温度范围宽,能够在-55°C至+150°C的环境中稳定运行,确保在严苛条件下的长期性能表现。此外,DFLS130-7-F支持自动化贴片生产流程,便于大规模集成于PCB板上,是消费类电子、通信设备和工业控制领域中的理想选择之一。

参数

类型:双肖特基二极管
  配置:共阴极
  封装:SOT-23
  最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
  最大直流阻断电压(VR):30V
  最大平均整流电流(IO):300mA
  峰值浪涌电流(IFSM):800mA
  最大正向电压(VF):450mV @ 150mA, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 25V, 25°C
  反向恢复时间(trr):4ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C

特性

DFLS130-7-F的核心优势在于其采用肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,典型值仅为450mV,在150mA电流下显著降低了功耗,提升了系统能效。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能量损耗敏感的应用场景,如移动设备的电源路径管理、USB接口保护以及DC-DC转换器中的续流与箝位功能。由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应,因此该器件表现出极短的反向恢复时间,典型值低至4ns,能够在高频开关操作中有效减少开关损耗并抑制电压振铃现象,提升整体电路稳定性。
  该器件内部集成两个独立的肖特基二极管,采用共阴极连接方式,非常适合用于双通道信号整流、输入电源反接保护或多路输出隔离等应用场景。例如,在多电源系统中可实现电源优先级选择,防止不同电源之间相互干扰;在数据线或通信接口中可用于瞬态电压抑制和静电放电(ESD)防护。SOT-23封装具有体积小、重量轻、热阻适中的优点,适合高密度布局设计,并兼容标准回流焊工艺,便于自动化生产。
  DFLS130-7-F具备出色的温度稳定性,随着结温升高,其正向压降变化较小,且反向漏电流控制良好,在高温环境下仍能保持可靠工作。同时,该器件通过AEC-Q101车规级可靠性测试,表明其不仅适用于工业级产品,也可用于汽车电子中的辅助电源和传感器模块。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)进一步增强了环境适应能力。此外,器件符合IEC 61000-4-2 ESD抗扰度标准,人体模型(HBM)可达±2kV,提供一定程度的现场耐受能力,降低因静电损坏导致的失效风险。

应用

DFLS130-7-F广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流与保护功能的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电池充电管理电路,用于防止电池反向放电或外部电源冲突;在USB供电接口中作为通路控制二极管,实现电源切换与过压隔离;在DC-DC升压或降压转换器中充当续流二极管,利用其快速响应特性减少能量损失并提高转换效率。
  在通信与数据传输领域,该器件可用于RS-232、I2C、SPI等信号线路的钳位保护,防止因瞬态电压或静电冲击造成主控芯片损坏。此外,在LED驱动电路中,DFLS130-7-F可作为防倒灌二极管使用,避免关闭主电源时LED回路产生反向电流影响其他电路模块。
  工业控制系统中,该二极管常被用于PLC模块、传感器信号调理电路及继电器驱动回路中的飞轮二极管,以吸收感性负载断开时产生的反电动势,保护开关元件如MOSFET或晶体管。在汽车电子应用中,尽管其额定电压较低,但仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或车内照明电源中的辅助整流任务。
  得益于其小型封装和高可靠性,DFLS130-7-F也适合用于空间受限的可穿戴设备、物联网终端节点和无线传感器网络中,执行电源多路复用、电压检测或逻辑电平隔离等功能。总体而言,该器件凭借其优异的电气性能与稳定的制造质量,成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

替代型号

DMDS104S-7-F

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