型号：RFBPB1608060AM6T61
　　制造商：Qorvo (原RFMD)
　　器件类型：射频前端模块（FEM）
　　集成组件：功率放大器（PA）、SPDT开关、定向耦合器、片内匹配网络
　　工作频率范围：700MHz 至 2200MHz
　　支持标准：NB-IoT、LTE-M（Cat-M1）
　　支持频段：Band 1、Band 3、Band 5、Band 8
　　输出功率：+27dBm（最大峰值功率）
　　供电电压：Vcc = 3.0V ~ 4.2V
　　控制接口：MIPI RFFE 1.0 兼容
　　封装类型：WLCSP（晶圆级芯片封装）
　　封装尺寸：1.6mm × 0.8mm × 0.6mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　集成功能：VSWR检测、温度传感、功率控制反馈
　　符合标准：RoHS合规，无卤素

RFBPB1608060AM6T61具备高度集成化的射频前端架构，将功率放大器、天线切换开关、定向耦合器及完整的输入输出匹配网络集成于单一芯片之中，极大减少了外围元件的需求，显著缩小了PCB面积并降低了物料成本。这种集成方案特别适合空间受限的应用场景，如微型传感器节点和嵌入式通信模块。其内部PA采用高效GaAs HBT工艺设计，在保证高增益的同时实现了卓越的功率附加效率（PAE），有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　该器件支持多种LTE-FDD低速率通信协议，包括NB-IoT和LTE-M，能够在不同网络环境下动态调整发射功率，满足3GPP规范对调制精度（EVM）和频谱掩模的要求。通过MIPI RFFE接口进行数字控制，用户可以方便地配置工作模式、增益级别和关断状态，实现灵活的系统管理。同时，模块内建的VSWR检测机制可在天线失配时及时反馈驻波比信息，防止因反射功率过高导致PA损坏，提高设备长期运行的稳定性。
　　RFBPB1608060AM6T61具有出色的热管理和抗干扰能力，即使在复杂电磁环境中也能保持稳定的信号传输性能。其WLCSP封装不仅体积小巧，而且具有良好的高频特性和散热表现，适用于高密度组装工艺。此外，该芯片经过严格的老化测试与环境验证，确保在工业级温度范围内可靠工作，满足各类严苛应用场景的需求。整体而言，这款FEM在集成度、能效比和可靠性之间达到了良好平衡，是现代低功耗广域网终端的理想选择。

RFBPB1608060AM6T61主要面向需要低功耗、小尺寸和高可靠性的无线通信终端设备，广泛应用于窄带物联网（NB-IoT）和LTE-M网络中。典型使用场景包括智能城市基础设施中的远程抄表系统（如水表、电表、燃气表），这些设备通常部署在信号较弱或安装位置隐蔽的区域，要求射频前端具备良好的灵敏度和发射能力以保障连接稳定性。此外，它也适用于物流与资产追踪设备，这类应用依赖长时间电池供电和广域覆盖能力，RFBPB1608060AM6T61的高效率PA和低静态电流特性可有效延长设备使用寿命。
　　在可穿戴设备领域，例如儿童或老人定位手环、健康监测仪等，该芯片的小型化封装和低功耗设计使其成为理想选择，能够在有限的空间内实现可靠的蜂窝连接。工业物联网（IIoT）中的远程监控终端，如环境传感器、安防报警器、自动售货机等，也可利用此模块构建稳定的无线通信链路。同时，由于其支持多频段操作，能够适应全球不同地区的网络部署需求，因此非常适合用于出口型通信模块或全球化部署的IoT解决方案。无论是固定安装还是移动使用，RFBPB1608060AM6T61都能提供一致的射频性能和系统兼容性。

RFFM6820A
　　RFFM6920A
　　SKY66114-11
　　QM18060