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DFF90C14 发布时间 时间:2025/9/6 23:40:01 查看 阅读:7

DFF90C14 是一款由东芝(Toshiba)制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。DFF90C14 采用先进的封装技术,具备良好的热管理和电气性能,适用于高功率密度和高可靠性要求的应用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):90V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):220A(在 Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.9mΩ(最大值,典型值)
  功耗(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247AD

特性

DFF90C14 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得该器件在高电流应用中具有更低的导通损耗,从而提高整体系统的能效。此外,该器件的漏极电流额定值高达 220A,能够承受高负载电流,适用于大功率电源系统。其高栅极电压容限(±20V)确保了在不同驱动条件下仍能稳定工作,减少了因过压引起的损坏风险。DFF90C14 采用 TO-247AD 封装,具有良好的散热性能,能够在高功率密度环境下保持较低的工作温度,提升系统的长期可靠性。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力,有助于在异常工作条件下保护电路免受损坏。此外,DFF90C14 的设计优化了开关性能,使得其在高频开关应用中仍能保持较低的开关损耗,适用于现代高效能电力电子系统。
  该器件的热阻(Rth)较低,使得在高功率应用中能够更有效地将热量传导至散热器,从而降低热失效的风险。同时,DFF90C14 的封装设计符合 RoHS 标准,支持环保型制造工艺。在短路和过载条件下,DFF90C14 依然能够保持良好的稳定性和耐用性,是工业电源、电动工具、电动汽车和储能系统等高要求应用的理想选择。

应用

DFF90C14 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、服务器电源、电动工具、储能系统、太阳能逆变器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等领域。在服务器电源和通信电源系统中,DFF90C14 可用于同步整流,提高整体电源转换效率;在电动工具和电动车辆中,该器件可作为主开关或电机控制器的核心元件,提供高可靠性和高效能表现;在储能系统和太阳能逆变器中,DFF90C14 被广泛用于功率转换和能量管理电路。此外,该器件也可用于工业自动化设备中的高功率开关控制电路,满足高负载切换需求。

替代型号

SiHF90C14-TM-E | FDP90C14 | IXFH90C14

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