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HY57V561620CTP-7 发布时间 时间:2025/9/2 2:59:39 查看 阅读:21

HY57V561620CTP-7是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高速存储器的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品中。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗、高密度和高性能的特点。HY57V561620CTP-7的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于紧凑型PCB设计。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:7ns
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据总线宽度:16位
  刷新周期:64ms
  

特性

HY57V561620CTP-7具备多项先进的特性,以满足高性能嵌入式系统的需求。其主要特点包括高速访问时间和低功耗设计,适合电池供电和便携式设备使用。芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有效降低功耗并延长电池寿命。此外,它还具备页模式(Page Mode)和突发模式(Burst Mode),可提升数据访问效率,满足实时数据处理需求。
  该芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了稳定性和可靠性。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具有良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。HY57V561620CTP-7的输入/输出接口兼容TTL电平,便于与多种控制器和处理器进行连接。此外,该芯片还支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,适用于长时间运行的工业控制系统和网络设备。

应用

HY57V561620CTP-7因其高速度、低功耗和稳定性,广泛应用于多种电子设备和系统中。典型应用包括工业控制设备、嵌入式系统、路由器、交换机、视频监控设备、手持终端、数据采集设备以及消费类电子产品如智能电视、机顶盒等。在工业自动化和通信设备中,该芯片可作为主存储器或缓存,提供快速的数据访问能力。此外,由于其宽温工作范围,HY57V561620CTP-7也非常适合在恶劣环境下的工业和车载应用中使用。

替代型号

IS42S16100B-7T, CY7C1041CV33-7ZS, MT58L256A2B4-6A

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