DFF7N60是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源管理应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等场景。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏极电流:7A
最大漏源电压:600V
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
栅极阈值电压:2V~4V
功率耗散:50W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-220
DFF7N60具有多项优异的电气特性,包括较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高效率。其600V的漏源击穿电压允许它在高压应用中稳定工作,同时7A的最大漏极电流能力使其适用于中高功率的应用场景。此外,该MOSFET采用了东芝的先进技术,确保了良好的热管理和可靠性。
DFF7N60还具备快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高整体系统的效率。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热,而且在多种电路设计中具有较高的通用性。这种MOSFET还内置了保护机制,如过热保护和过电流保护,进一步提升了器件的稳定性和使用寿命。
在制造工艺方面,DFF7N60采用了高纯度硅材料和先进的沟槽栅极结构,优化了电场分布,从而提高了器件的击穿电压能力和长期稳定性。这些特性使得DFF7N60成为工业控制、消费电子和照明设备中不可或缺的元件。
DFF7N60广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、照明系统(如LED驱动电源)以及家电控制电路等。在开关电源中,DFF7N60作为主开关器件,能够高效地将输入电压转换为所需的输出电压,同时保持较小的体积和较高的转换效率。在DC-DC转换器中,它用于升压或降压操作,确保输出电压的稳定性和响应速度。
在电机控制应用中,DFF7N60可用于H桥驱动电路,实现对直流电机的速度和方向控制。其低导通电阻和高电流承载能力使得电机运行更加平稳和高效。此外,在LED照明系统中,DFF7N60作为驱动电路的核心元件,能够提供稳定的电流输出,延长LED的使用寿命并提高光效。
由于其优异的电气性能和广泛的适用性,DFF7N60也常用于工业自动化设备、家用电器(如空调、洗衣机等)、电动车控制器以及太阳能逆变器等复杂系统中,作为关键的功率开关元件。
FQP7N60C, IRF7N60C, STP7NK60Z