时间：2023/2/23 15:26:23
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雪崩电压VBR Min.(V):6.400
雪崩电压VBR Nom.(V):6.800
雪崩电压VBR Min.(V):6.400
雪崩电压VBR Nom.(V):6.800
雪崩电压VBR Max.(V):7.200
IT(mA):5
峰值反向工作电压VRWM(V):5
最大反向漏电流IR(uA):0.500
最大反向电压(钳位电压)VC(V):9.600
最大反向浪涌电流Ipp(A):2
典型电容（pF）@0V:－
保护线数:两线
封装/温度(℃):SOT23/-55~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
