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DF02-G 发布时间 时间:2025/3/31 17:11:19 查看 阅读:28

DF02-G是一种高性能的双极性晶体管,广泛应用于高频放大器、射频电路以及各种模拟信号处理场景。该晶体管具有高增益、低噪声和良好的线性特性,适用于对性能要求较高的电子设备中。DF02-G采用了先进的制造工艺,确保了其在高频工作条件下的稳定性和可靠性。

参数

集电极-发射极电压:30V
  集电极电流:200mA
  直流电流增益:100~400
  特征频率:1GHz
  最大耗散功率:350mW
  结温范围:-55℃~150℃

特性

主要特点是其卓越的高频性能和低噪声水平。它能够在高达1GHz的频率下保持稳定的增益表现,这使其非常适合用于射频和无线通信领域。此外,DF02-G的低噪声系数有助于减少信号失真,提高系统的整体性能。
  在实际应用中,DF02-G展现出良好的线性度和稳定性,尤其在温度变化较大的环境下仍能保持可靠的性能。这些特性使得DF02-G成为许多高端电子设备的理想选择。

应用

主要应用于高频放大器、射频前端模块、无线通信系统、音频信号放大器以及其他需要高性能晶体管的场合。它还常用于雷达系统、卫星通信以及测试测量设备中,以满足这些领域对高精度和高可靠性的需求。
  由于其出色的高频特性和低噪声表现,DF02-G也适用于各类精密仪器和医疗设备中的信号处理环节。

替代型号

DF03-H, BF02-A, RF120-G

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DF02-G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭桥式整流器
  • 系列-
  • 电压 - 峰值反向(最大)200V
  • 电流 - DC 正向(If)1A
  • 二极管类型单相
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳4-EDIP(0.321",8.15mm)
  • 包装管件
  • 供应商设备封装4-DF