时间：2025/12/26 11:43:36
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DDZX24C-7是一种硅材料制成的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压基准和稳压应用。该器件封装在小型玻璃封装中，通常为DO-35或类似尺寸，适合通孔安装。其标称齐纳电压为24V，容差范围较小，确保了在精密电路中的稳定性能。该系列二极管设计用于低功率稳压场合，能够在指定电流条件下提供稳定的参考电压。由于其快速响应特性和良好的温度稳定性，DDZX24C-7常被应用于模拟电路、电源监控、反馈控制环路以及信号电平钳位等场景。该器件的工作原理基于反向击穿特性，在达到其额定齐纳电压后，能够维持几乎恒定的电压，即使电流在一定范围内变化。这种特性使其成为许多电子系统中不可或缺的基础元件之一。
值得注意的是，DDZX24C-7属于老式命名体系下的国产或亚洲地区生产的齐纳二极管型号，可能在国际主流厂商中没有完全一致的命名方式，但功能上可对标如ON Semiconductor、NXP、Toshiba等品牌的类似24V齐纳管产品。此外，该器件需注意最大功耗限制，一般典型值为500mW左右，使用时应配合限流电阻以防止过热损坏。
类型：齐纳二极管
极性：单向
齐纳电压（Vz）：24V @ 5mA
电压容差：±5%
最大耗散功率：500mW
测试电流（Iz）：5mA
最大反向漏电流：1μA @ 18V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：DO-35
引脚数：2
DDZX24C-7具备优良的电压稳定性和温度特性，其核心优势在于在规定的电流范围内能提供高度稳定的齐纳击穿电压。该器件的额定齐纳电压为24V，在标准测试电流5mA下测得，具有±5%的电压容差，保证了在批量使用中的一致性与可靠性。其采用高纯度硅半导体材料制造，通过精确掺杂工艺实现稳定的反向击穿特性。当外加反向电压接近24V时，器件进入齐纳击穿区域，此时电流可在几毫安至数十毫安之间变化，而电压保持基本不变，从而实现稳压功能。
该器件的最大连续功耗为500mW，适用于低功率应用场景。在实际使用中，必须配合适当的限流电阻以避免因电流过大导致热击穿或永久性损坏。其工作结温范围可达+150℃，存储温度范围宽达-55℃至+150℃，适应各种严苛环境条件。同时，其低动态阻抗特性使得输出电压受负载波动影响较小，提升了系统的稳定性。另外，反向漏电流在低于击穿电压时非常小（典型值1μA @ 18V），有助于减少待机状态下的能量损耗。
DDZX24C-7还具备较快的响应速度，能在瞬态电压突变时迅速导通并钳制电压，因此也可用于简单的过压保护电路中。尽管其主要用途是作为电压参考源，但在一些低成本电源、传感器信号调理电路、比较器阈值设定中也广泛应用。由于其封装为常见的DO-35玻璃封装，便于手工焊接和自动化装配，维护和替换较为方便。总体而言，该器件以其稳定性、可靠性和成本效益，在工业控制、消费电子、通信设备等领域中占有重要地位。
广泛应用于直流稳压电源中的电压参考、反馈电路中的基准源、模拟信号处理电路的电平钳位、过压保护电路、电压检测电路、电池供电设备的电压监控以及各类需要稳定24V参考电压的小信号电路中。此外，也常见于工业仪表、电源适配器、LED驱动模块和小型继电器控制电路中作为稳压元件使用。
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"BZX55C24",
"1N4749A",
"MMSZ5252B",
"HZ6B24",
"SZMZ5252BT1G"
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