您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DDZ9692S-7

DDZ9692S-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:08:18 查看 阅读:13

DDZ9692S-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用双二极管配置,封装形式为SOT-23(Small Outline Transistor),适用于需要紧凑设计和高效率的便携式电子设备。该器件专为低电压、高电流开关应用而优化,具备较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间,能够在高频工作条件下有效降低功耗并提升系统效率。DDZ9692S-7广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、逆变电路以及信号整流等场景中。其小型化封装特别适合空间受限的应用,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品。该器件符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。此外,DDZ9692S-7还具有较高的反向击穿电压裕量,增强了在瞬态电压冲击下的耐受能力,提升了系统的整体安全性与稳定性。

参数

类型:双通道肖特基二极管
  封装/包装:SOT-23
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):500mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):1A
  最大正向电压(VF):500mV @ 200mA
  最大反向漏电流(IR):500μA @ 40V
  反向恢复时间(trr):典型值5ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  功率耗散(PD):300mW

特性

DDZ9692S-7的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,通常在200mA电流下仅为500mV左右,显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。这种低VF特性尤其适用于电池供电设备中的DC-DC升压或降压电路,有助于延长电池续航时间。同时,由于其结构上不存在PN结的少数载流子存储效应,因此具备极快的反向恢复速度,典型反向恢复时间trr仅为5ns,在高频开关应用中表现出色,能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
  该器件为双二极管配置,内部集成两个独立的肖特基二极管,共阴极连接方式使其非常适合用于输入保护、电压钳位、续流二极管或双路同步整流等拓扑结构。这种设计不仅节省了PCB布局空间,还简化了电路设计复杂度。SOT-23封装具有较小的占板面积和良好的散热性能,便于实现自动化贴片生产,适用于高密度组装工艺。此外,DDZ9692S-7具有良好的热稳定性,可在高达+125°C的结温下持续工作,确保在高温环境下仍能保持可靠性能。
  在可靠性方面,该器件通过了严格的工业标准测试,包括高温反偏(HTRB)、温度循环和高湿存储等试验,具备较强的抗环境应力能力。其最大反向电压为40V,足以应对大多数低压电源系统的瞬态电压波动,防止因过压导致的损坏。尽管肖特基二极管普遍存在相对较高的反向漏电流问题,但DDZ9692S-7在室温下将反向漏电流控制在500μA以内,在同类产品中表现优异。综合来看,这款器件在效率、尺寸、响应速度和可靠性之间实现了良好平衡,是现代低功耗、高集成度电子系统中的理想选择。

应用

DDZ9692S-7常用于各类便携式电子设备中的电源管理单元,例如作为DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助元件,帮助提升转换效率并减少发热。它也广泛应用于锂电池充电回路中的防反接保护和电压钳位电路,防止外部电源反向接入或瞬态高压对主控芯片造成损害。在LED驱动电路中,可用于构建升压型拓扑结构中的整流环节,确保电流单向流动以维持稳定亮度输出。此外,该器件适用于各种信号整流与检波场合,尤其是在高频小信号处理中表现出良好的响应特性。
  由于其SOT-23小型封装,DDZ9692S-7特别适合空间受限的应用,如智能手机、智能手表、无线耳机、物联网传感器节点等可穿戴和移动终端设备。在这些设备中,高效的电源管理和紧凑的电路布局至关重要,该器件能够在有限的空间内提供可靠的电气性能。同时,它也可用于USB接口的电源隔离与瞬态抑制电路中,防止总线电压倒灌影响系统稳定性。在微控制器或FPGA的I/O电平转换电路中,可用作电平钳位二极管,防止输入电压超出安全范围。
  工业控制领域中,该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路以及低功耗通信接口(如RS-232、I2C总线)的保护电路中,提供快速响应的过压保护功能。此外,在消费类家电如电视、机顶盒、路由器等产品的待机电源或辅助电源中,也能看到其身影。总之,DDZ9692S-7凭借其高效、小型化和高可靠性的特点,已成为众多低压、高频、高密度电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

替代型号

BAS40-04T1G
  RB520S-40T1U
  PMDS3904,115
  SK33

DDZ9692S-7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DDZ9692S-7资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DDZ9692S-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 5.1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称DDZ9692SDIDKR