时间:2025/12/26 10:03:35
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DDZ6V8B-7是一款由Diodes Incorporated生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOD-323(SC-90)小型表面贴装封装,具有较小的尺寸和良好的热稳定性,适用于空间受限的便携式电子设备。其标称齐纳电压为6.8V,在测试电流下能够提供稳定的击穿电压,确保电路中的电压箝位或参考功能可靠运行。该器件的命名遵循常见的齐纳二极管标识规则:'DDZ'代表Diodes品牌的齐纳二极管系列,'6V8'表示其标称电压为6.8V,'B'可能代表电压容差等级,'-7'通常指代卷带包装形式,适用于自动化贴片生产。DDZ6V8B-7工作时通过反向击穿机制实现稳压功能,其动态电阻较低,能够在负载变化时维持输出电压的稳定性。此外,该器件具备良好的温度系数优化设计,在一定温度范围内保持电压精度,适合工业、消费类及通信类电子产品中对电压基准有要求的应用场景。
类型:齐纳二极管
封装:SOD-323 (SC-90)
标称齐纳电压:6.8 V
齐纳电压容差:±5%
最大齐纳阻抗(Zzt):10 Ω @ IZT
测试电流(IZT):5 mA
最大反向漏电流(IR):1 μA @ VR = 1V
最大功耗:200 mW
工作结温范围:-55 °C 至 +150 °C
极性:单齐纳二极管
安装类型:表面贴装(SMD)
DDZ6V8B-7齐纳二极管在性能与可靠性方面表现出色,特别适用于需要精确电压参考的小型化电子系统。其核心特性之一是具备±5%的电压容差,这意味着在标准测试条件下,实际的齐纳电压会稳定在6.46V至7.14V之间,确保了电路设计中的可预测性和一致性。这对于电源反馈回路、ADC参考电压或过压保护电路尤为重要。该器件在5mA的测试电流下工作,这一电流值既保证了足够的导通能力,又避免了过高的功耗,尤其适合低功耗系统使用。其最大齐纳阻抗为10Ω,表明其在动态负载变化下仍能维持较稳定的输出电压,有效抑制电压波动。
该器件采用SOD-323封装,尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm,适合高密度PCB布局,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。尽管封装小巧,但其散热设计经过优化,可在200mW的最大功率下安全运行,满足大多数中低功率稳压需求。此外,DDZ6V8B-7具有出色的温度稳定性,其电压温度系数在额定范围内被尽可能降低,减少了因环境温度变化引起的电压漂移问题。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,使其能在极端工业环境下可靠工作。
从制造工艺上看,DDZ6V8B-7采用先进的半导体制造技术,确保批次间的一致性和长期可靠性。其反向漏电流在1V反向电压下不超过1μA,说明在未达到击穿电压前的截止特性良好,有助于减少待机状态下的能耗。同时,该器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,支持绿色电子产品的设计要求。在ESD防护方面,虽然齐纳二极管本身具备一定的静电耐受能力,但在敏感电路中建议配合TVS器件使用以增强系统鲁棒性。总体而言,DDZ6V8B-7是一款性价比高、性能稳定、易于集成的电压参考元件,适用于广泛的模拟和混合信号应用场景。
DDZ6V8B-7齐纳二极管广泛应用于各类需要稳定电压参考或简单稳压功能的电子电路中。常见用途包括作为线性稳压器的反馈分压网络中的参考源,用于设定输出电压点;也可直接用作低压直流电源的稳压元件,特别是在输入电压波动较大的场合,如电池供电设备中,起到电压箝位作用,防止后续电路因过压而损坏。在传感器信号调理电路中,该器件可用于提供偏置电压或限制信号幅值,确保前端放大器工作在线性区域。
在通信模块和射频电路中,DDZ6V8B-7可用于偏置RF开关或低噪声放大器,提供稳定的栅极或基极电压。由于其响应速度快且无启动时间延迟,相较于某些专用电压基准IC,它在瞬态响应方面更具优势,适合对响应速度有要求的应用。此外,该器件常用于过压保护电路中,与限流电阻配合构成简单的保护网络,吸收瞬态高压脉冲,保护敏感的IC引脚。
在工业控制领域,该齐纳二极管可用于PLC输入模块的电平转换和信号隔离电路中,将不同电压等级的信号统一到控制器可接受的范围。在消费类电子产品如智能手表、TWS耳机和IoT节点设备中,因其小型封装和低功耗特性,成为理想的电压参考解决方案。此外,它也适用于测试测量仪器中的精密分压电路,辅助实现电压校准功能。总之,DDZ6V8B-7凭借其稳定性、小型化和成本效益,在多个行业中发挥着关键作用。
BZT52C6V8HE-7
MMSZ5239BT1G
PMEZ6V8B,115
ZMM6V8
MM3Z6V8