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DDZ3V6ASF-7 发布时间 时间:2025/12/26 10:51:23 查看 阅读:24

DDZ3V6ASF-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装齐纳二极管,专为精密电压参考和电压箝位应用设计。该器件采用SOD-123FL小尺寸封装,具有低功耗、高稳定性和快速响应的特点,适用于现代电子设备中对空间和性能要求较高的场合。齐纳二极管的核心功能是在反向击穿区域工作时维持一个稳定的电压,即使流过它的电流在一定范围内变化,其两端的电压仍能保持恒定。DDZ3V6ASF-7的标称齐纳电压为3.6V,在测试电流下能够提供精确的电压调节能力,适合用于电源管理、信号调理以及ESD保护等电路中。
  该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性与长期可靠性。其小外形封装便于自动化贴片生产,广泛应用于消费类电子产品、通信设备、便携式仪器及工业控制等领域。此外,DDZ3V6ASF-7还具备较低的动态阻抗,有助于减少输出电压波动,提高系统整体的电压稳定性。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  齐纳电压(Vz):3.6V @ 5mA
  容差:±5%
  最大功率耗散:500mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  引脚数:2
  反向漏电流(Ir):< 1μA @ VR = 1V
  动态阻抗(Zzt):≤ 20Ω @ Izt = 5mA

特性

DDZ3V6ASF-7具备优异的电压稳定性和温度特性,能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其电压温度系数经过优化设计,在常温附近具有较低的漂移,确保在不同环境条件下都能提供可靠的参考电压。该器件的动态阻抗低至20Ω,在负载电流变化时能有效抑制电压波动,提升电源或信号线路的稳定性。同时,由于采用了先进的半导体制造工艺,该齐纳二极管在长时间运行下表现出色的老化稳定性,电压漂移极小,适合需要长期可靠工作的应用场景。
  SOD-123FL封装具有较小的占板面积和薄型轮廓,非常适合高密度PCB布局,尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的产品。该封装还具备良好的散热性能,能够在500mW的功率下安全运行。器件的机械强度高,耐焊接热冲击能力强,支持回流焊和波峰焊等多种贴装工艺,适应现代SMT生产线的需求。
  DDZ3V6ASF-7的反向漏电流极低,在低电压偏置下几乎不产生额外功耗,有利于节能设计。其快速的响应时间使其可用于瞬态电压抑制,配合其他保护元件实现一定程度的ESD防护。此外,±5%的电压容差保证了批次间的一致性,简化了电路设计中的裕量考量,提升了量产良率。

应用

DDZ3V6ASF-7广泛应用于各类需要稳定电压参考的模拟和数字电路中。常见用途包括作为低压稳压器的基准源,用于ADC或DAC的参考电压生成,以及在电源监控电路中实现欠压或过压检测。在便携式设备中,它可用于电池电压监测模块,帮助系统判断电量状态并触发低电警告。此外,该器件也常被用作逻辑电平转换电路中的箝位元件,防止信号线电压超过MCU或FPGA的输入耐受范围,从而保护敏感集成电路。
  在通信接口如USB、I2C、UART等信号线上,DDZ3V6ASF-7可与其他TVS二极管协同工作,提供多层次的静电放电(ESD)保护。其快速响应能力和低电容特性使其不会显著影响高速信号完整性。在传感器信号调理电路中,该齐纳二极管可用于偏置电压稳定或作为限幅器,防止异常信号损坏后级放大器。工业控制系统中的PLC模块、数据采集单元也常采用此类器件进行局部稳压和噪声抑制。

替代型号

[
   "BZT52C3V6,SOD-123",
   "MMBZ5227BL,TSOP-2L",
   "PMBZ52C3V6,LL34",
   "SZMZ5227B,SOD-123"
  ]

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DDZ3V6ASF-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)3.57V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 1V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)130 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称DDZ3V6ASF-7DIDKR