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DDTA114TCA-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 11:53:46 查看 阅读:24

DDTA114TCA-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(BJT),属于数字晶体管系列。该器件集成了一个内置的基极电阻和发射极电阻,简化了电路设计并减少了外部元件的数量。这种类型的晶体管通常被称为“数字晶体管”或“偏置电阻内置晶体管”,非常适合用于逻辑接口、开关控制和信号放大等应用。DDTA114TCA-7-F采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,具有良好的热性能和空间利用率,适用于高密度PCB布局。该器件在消费电子、工业控制、通信设备和便携式电子产品中广泛应用。其内部结构包含一个NPN型晶体管,并在基极串联了一个电阻(R1),在发射极与基极之间连接了一个下拉电阻(R2),从而确保输入信号断开时晶体管可靠截止,避免误触发。由于其高度集成的设计,DDTA114TCA-7-F能够直接由微控制器、FPGA或其他数字逻辑输出驱动,无需额外的限流电阻或偏置网络。
  该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺。其工作温度范围较宽,适合在多种环境条件下稳定运行。DDTA114TCA-7-F的制造工艺成熟,可靠性高,批量一致性好,因此被广泛用于自动化生产中的贴片工艺。此外,该型号采用卷带包装(tape and reel),便于SMT贴装设备自动取放,提升生产效率。作为一款通用型数字晶体管,它在替代传统分立式晶体管加外围电阻方案方面表现出色,不仅节省了PCB面积,还提高了系统的整体可靠性。

目录

参数

类型:NPN数字晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):70-140(典型值)
  基极串联电阻(R1):47kΩ
  发射极-基极下拉电阻(R2):47kΩ
  过渡频率(fT):250MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23 (SC-59)

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DDTA114TCA-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 100µA,1mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DDTA114TCA-FDITR