CS4N65A3R 时间：2025/4/28 17:07:45 阅读：35

CS4N65A3R是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用先进的制造工艺设计而成。该型号为N沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等领域。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够在高频和高效率的应用中提供卓越性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：65V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　持续漏极电流（Id）：4.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：65mΩ
　　总栅极电荷（Qg）：17nC
　　输入电容（Ciss）：1100pF
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

CS4N65A3R具备以下显著特点：
　　1. 高击穿电压（65V），适用于多种高压应用环境。
　　2. 极低的导通电阻（65mΩ），减少功率损耗，提高整体系统效率。
　　3. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗，在高频应用中表现优异。
　　4. 小封装尺寸，适合对空间要求较高的设计场景。
　　5. 稳定的工作性能，能在较宽的温度范围内保持可靠运行。
　　6. 总栅极电荷较低（17nC），驱动功耗小，易于与驱动电路集成。

应用

CS4N65A3R广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
　　2. DC-DC转换器，包括降压和升压电路。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
　　4. 各类电机驱动应用，例如无刷直流电机控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率开关。
　　6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
　　7. 其他需要高效功率转换和开关操作的场合。