型号：NR10050T221M
　　制造商：Nippon Resistor Manufacturing Co., Ltd. (NR)
　　封装/尺寸：0402 (1.0mm x 0.5mm)
　　电容值：220pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 RC ≥ 50 sec（取较大者）
　　耐电压：1.5倍额定电压，1分钟无击穿或闪络
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于 0.1Ω（频率相关）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约 0.3nH
　　老化率：≤ 2.5%/decade at 25°C
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端电极结构：Ni/Sn镀层，无铅可焊
　　包装形式：纸带编带，标准8mm卷盘
　　符合标准：RoHS, REACH, AEC-Q200（部分批次）

NR10050T221M作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备出色的温度稳定性和长期可靠性。其采用X7R型介电材料，确保在-55°C至+125°C的宽温范围内电容变化率不超过±15%，适用于各种严苛环境下的电子系统。这种稳定性使其特别适合用于电源管理单元中的去耦电容、射频电路中的匹配网络以及模拟前端的滤波环节。由于其微小型0402封装，该器件可在有限空间内实现高密度布局，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。同时，低ESR和低ESL特性有效降低了高频下的能量损耗和噪声干扰，提高了系统的整体信号完整性和电源完整性。
　　该器件采用了先进的叠层陶瓷制造工艺，内部电极使用贵金属材料（如银钯合金）或镍基材料，在保证良好导电性的同时增强了抗迁移能力。端电极为双层电极结构，外层为可焊性优良的锡层，内层为阻挡层镍层，防止外部环境侵蚀和金属扩散，从而提升焊接可靠性和长期存储稳定性。此外，NR10050T221M在生产过程中执行严格的洁净度控制与烧结工艺管理，确保每批产品的电气参数一致性高，批次间差异小，适用于自动化贴片生产线。
　　在可靠性方面，该电容器通过了包括高温高湿偏压测试（H3TRB）、温度循环测试（TCT）、耐焊接热测试等多项国际标准验证，表现出优异的抗湿性、抗热冲击能力和耐久性。尤其在车载电子、工业控制等对寿命要求较高的领域，该器件能够承受多次回流焊过程而不发生性能劣化。其符合RoHS指令要求，不含铅、镉、六价铬等有害物质，支持绿色制造理念。总体而言，NR10050T221M是一款集小型化、高性能、高可靠性于一体的先进MLCC产品，适用于高端电子系统的精密电路设计需求。

NR10050T221M广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高频响应和空间紧凑的设计场景下表现出色。其主要应用领域包括移动通信设备，如智能手机、平板电脑和无线模块，在这些设备中常被用作射频放大器、混频器和振荡器电路中的旁路和耦合电容，以确保信号传输的稳定性与清晰度。此外，在电源管理系统中，该电容器可用于DC-DC转换器输出端的滤波电路，有效抑制开关噪声并平滑输出电压，提高电源效率。
　　在消费类电子产品如智能穿戴设备、蓝牙耳机和物联网传感器节点中，由于其0402的小型封装优势，NR10050T221M能够在极其有限的空间内完成关键的去耦功能，保障芯片供电质量。在汽车电子系统中，尽管并非所有批次都明确标注AEC-Q200认证，但部分符合规格的产品可用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统和ADAS传感器接口电路中，提供可靠的电容支持。
　　此外，该器件也适用于工业控制板、医疗监测设备和测量仪器等对长期运行稳定性要求较高的场合。例如，在精密ADC或DAC参考电压滤波电路中，NR10050T221M可以有效滤除高频干扰，提升模拟信号链的精度。总之，凭借其良好的温度特性、低损耗和高可靠性，这款电容器已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM155R71H221KA88D
　　CL10A221MQ8NNNC
　　C1005X7R1H221K